[发明专利]一种开关电路在审

专利信息
申请号: 201711086294.4 申请日: 2017-11-07
公开(公告)号: CN107809228A 公开(公告)日: 2018-03-16
发明(设计)人: 颜栋卿;陈凯;张坤 申请(专利权)人: 晶晨半导体(上海)股份有限公司
主分类号: H03K17/042 分类号: H03K17/042;H03K17/687
代理公司: 上海申新律师事务所31272 代理人: 俞涤炯
地址: 201203 上海市浦东新区张江*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种开关电路,包括一三极管,基极通过一第一电阻连接一控制端,集电极通过一第二电阻连接一开关电压输入端,集电极还通过一第三电阻连接一P沟道MOS管和一N沟道MOS管,三极管的发射极接地;P沟道MOS管的源极和栅极之间并联一第一电容,栅极连接第三电阻,源极连接开关电压输入端,漏极连接一开关电压输出端,开关电压输出端用于输出开关输出电压;一第四电阻,一端连接三极管的基极,另一端接地;N沟道MOS管的栅极连接第三电阻,源极接地,漏极连接开关电压输出端;至少一个第二电容,每个第二电容一端分别连接开关电压输出端,另一端分别接地。发明的有益效果能够快速掉电,开关快速且稳定且成本比较低。
搜索关键词: 一种 开关电路
【主权项】:
一种开关电路,其特征在于,包括:一三极管,所述三极管的基极通过一第一电阻连接一控制端,所述控制端用于给三极管基极输入开关控制信号,所述三级管的集电极通过一第二电阻连接一开关电压输入端,所述开关电压输入端用于接收外部输入的开关输入电压,所述三极管的集电极还通过一第三电阻连接一P沟道MOS管和一N沟道MOS管,所述三极管的发射极接地;所述P沟道MOS管的源极和栅极之间并联一第一电容,所述P沟道MOS管的栅极连接所述第三电阻,所述P沟道MOS管的源极连接所述开关电压输入端,所述P沟道MOS管的漏极连接一开关电压输出端,所述开关电压输出端用于输出开关输出电压;一第四电阻,所述第四电阻一端连接所述三极管的基极,另一端接地;所述N沟道MOS管的栅极连接所述第三电阻,所述N沟道MOS管的源极接地,所述N沟道MOS管的漏极连接所述开关电压输出端;至少一个第二电容,每个所述第二电容一端分别连接所述开关电压输出端,另一端分别接地。
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