[发明专利]基于SnTe作为背电极缓冲层的CdTe薄膜太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于SnTe作为背电极缓冲层的CdTe太阳能电池及其制备方法，一种基于SnTe作为背电极缓冲层的CdTe薄膜太阳能电池，电池在CdTe薄膜太阳能电池的背电极处，在CdTe与金属背电极之间生长了一层SnTe缓冲层或者ZnTe：Cu和SnTe构成的复合缓冲层，其中SnTe薄膜为P+型。SnTe薄膜具有非常高的载流子浓度，高的空穴迁移率以及极低的电阻率，以及其与CdTe形成的异质结能带结构非常利于空穴的传输，这些都利于减小CdTe薄膜太阳能电池背电极处的势垒。

主权项

一种基于SnTe作为背电极缓冲层的CdTe薄膜太阳能电池，其特征在于，所述的电池在CdTe薄膜太阳能电池的背电极处，在CdTe与金属背电极之间生长了一层SnTe缓冲层或者ZnTe：Cu和SnTe构成的复合缓冲层，其中SnTe薄膜为P+型。