[发明专利]硫化镉量子点/硅纳米孔柱太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明提供了一种硫化镉量子点/硅纳米孔柱太阳能电池及其制备方法，涉及太阳能电池技术领域，该硫化镉量子点/硅纳米孔柱太阳能电池的制备方法包括用连续离子层吸附反应法在纳米孔柱硅片表面制备Cu和In掺杂的硫化镉量子点的步骤。利用该方法能够缓解现有技术的硫化镉/硅太阳能电池转换效率低的技术问题，达到提高太阳能电池的转换效率。

主权项

1.一种硫化镉量子点/硅纳米孔柱太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括用连续离子层吸附反应法在纳米孔柱硅片表面制备Cu和In掺杂的硫化镉量子点的步骤；制备Cu和In掺杂的硫化镉量子点的方法包括以下步骤：步骤a)：将铟源与镉源溶于第一溶剂中形成前驱液A，其中铟元素与镉元素的摩尔比为1:(8‑13)；将铜源与镉源溶于第二溶剂中形成前驱液B，其中，铜元素与镉元素的摩尔比为1:(95‑105)；将硫化铵溶于第三溶剂中形成阴离子前驱液；步骤b)：先将纳米孔柱硅片置于前驱液A中浸渍4‑6min，然后清洗干燥后置于阴离子前驱液中浸渍4‑6min，之后再清洗干燥；该步骤循环重复进行3‑6次；步骤c)：将经过步骤b)处理后的纳米孔柱硅片置于前驱液B中浸渍4‑6min，然后清洗干燥后置于阴离子前驱液中浸渍4‑6min，之后再清洗干燥；该步骤循环重复进行3‑6次，即在纳米孔柱硅片表面制备得到Cu和In掺杂的硫化镉量子点；步骤d)：依次采用稀盐酸和饱和氢氧化钠溶液对生长有Cu和In共掺杂的硫化镉量子点的纳米孔柱硅片的任意一侧表面进行腐蚀清洗，直至去除Cu和In掺杂的硫化镉量子点。