[发明专利]一种边缘齐整的石墨烯条带、其制备方法及应用有效

专利信息
申请号: 201711036880.8 申请日: 2017-10-30
公开(公告)号: CN109721049B 公开(公告)日: 2021-03-16
发明(设计)人: 刘立伟;刘丰奎;李奇;王汝冰;郭玉芬;李伟伟 申请(专利权)人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;中国科学院大学
主分类号: C01B32/194 分类号: C01B32/194;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 代理人: 王茹;王锋
地址: 215123 江苏省苏州市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种边缘齐整的石墨烯条带、其制备方法及应用。所述的制备方法包括:将石墨烯进行光刻图形化,在图形化的石墨烯上生长金属膜,之后将所述金属膜移除,对所述图形化的石墨烯进行氢气等离子体刻蚀处理,获得边缘齐整的石墨烯条带。本发明通过生长金属到未受保护的石墨烯上,制造大量的缺陷从而大幅度提高刻蚀速率,然后再利用氢气等离子体对石墨烯的各向异性刻蚀机制,使最终得到的石墨烯条带具有以锯齿型边缘占主导的几何结构,从而使所获石墨烯条带具有较高的载流子迁移率和较低的电阻率;同时工艺操作简单且与现代半导体加工工艺兼容,有望提高基于石墨烯条带的器件的性能,应用前景广泛。
搜索关键词: 一种 边缘 齐整 石墨 条带 制备 方法 应用
【主权项】:
1.一种边缘齐整的石墨烯条带的制备方法,其特征在于包括:将石墨烯进行光刻图形化;在图形化的石墨烯上生长金属膜,之后将所述金属膜移除;对所述图形化的石墨烯进行氢气等离子体刻蚀处理,获得边缘齐整的石墨烯条带。
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  • 渡部大辉;北尾晓子;铃木幸一;小林游磨 - 佳能株式会社
  • 2020-02-26 - 2023-08-15 - C01B32/194
  • 本发明涉及改性石墨烯、其生产方法、改性石墨烯‑树脂复合物、改性石墨烯片材和改性石墨烯分散体。改性石墨烯包括由下式(I)表示的结构,其中,在改性石墨烯的拉曼光谱中,改性石墨烯的G带的强度“g”与D带的强度“d”的比率(g/d)为1.0以上:Gr1‑Ar1‑X1‑(Y1)n1(I)在式(I)中,Gr1表示单层石墨烯或多层石墨烯,Ar1表示具有6至18个碳原子的亚芳基,X1表示单键,具有1至20个碳原子的直链状、支链状或环状亚烷基,或者通过用选自由‑O‑、‑NH‑、‑CO‑、‑COO‑、‑CONH‑和亚芳基组成的组中的至少一种结构取代具有1至20个碳原子的直链状、支链状或环状亚烷基中的至少一个碳原子而获得的基团。
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