[发明专利]一种太阳能电池背板及其生产方法有效
申请号: | 201711016968.3 | 申请日: | 2017-10-26 |
公开(公告)号: | CN107611209B | 公开(公告)日: | 2019-08-16 |
发明(设计)人: | 赖连容 | 申请(专利权)人: | 安徽正熹标王新能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/049 | 分类号: | H01L31/049;H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 236800 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种太阳能电池背板及其生产方法,属于太阳能电池装备技术领域。本发明利用了荷叶作为模板,通过其表面的微凹凸表面作为模板制备得到了PDMS软模板层,再通过软模板在PET层的表面制备出了具有疏水性的光固化层,也具有了较好的超疏水性,利用该特性可以实现与高能的含氟材料的表面更容易的结合;同时,在光固化层中还加入了改性石墨烯作为导热材料,也提高了背板的导热性。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 背板 及其 生产 方法 | ||
【主权项】:
1.一种太阳能电池背板的生产方法,其特征在于,包括如下步骤:第1步,PDMS软模板层的制备:将聚二甲基硅氧烷(PDMS)与交联剂按照重量比10~15:1混合均匀,然后浇于新鲜的荷叶的表面,再放置于烘箱中进行固化,取出后,将荷叶剥离,即利用了荷叶的表面的微凹凸表面作为模板制备得到了PDMS软模板层;第2步,表面交联修饰的氧化石墨烯的制备:按重量份计,取氧化石墨烯(GO)35~50份分散于340~420份的无水乙醇中,再加入HCl调节分散液的pH至4~5,然后将2~4wt%硅烷偶联剂的乙醇溶液230~310份缓慢滴加入上述分散液中,升温至55~65℃进行反应12~14h,离心分离,固体物依次用无水乙醇和去离子水洗涤,真空干燥后得到表面交联修饰的氧化石墨烯;所述的硅烷偶联剂选自KH550、KH560或者KH570;第3步,表面功能化的石墨烯的制备:将表面交联修饰的氧化石墨烯20~35份分散于250~380份的无水乙醇中,然后加入60~75份的水合肼,升温至50~70℃进行反应10~12h,将产物离心分离后,依次经过无水乙醇洗涤、去离子水洗涤、真空干燥后,得到表面功能化的石墨烯;第4步,疏水导热涂层原料的制备:按重量份计,将主体树脂50~65份、光引发剂1~3份、活性稀释剂5~10份、交联剂3~6份、表面功能化的石墨烯6~12份混合均匀,得到疏水导热涂层原料;主体树脂选自聚氨酯丙烯酸酯与聚乙二醇双丙烯酸酯按照重量比2:0.5~1的混合;所述的光引发剂选自2‑羟基‑2‑甲基‑1‑苯基甲酮或者1‑羟基‑环己基‑苯基甲酮;所述的活性稀释剂选自三缩丙二醇二丙烯酸酯;所述的交联剂选自二聚季戊四醇五丙烯酸酯;第5步,疏水导热层的制备:在PET基层薄膜涂覆疏水导热涂层原料,再在疏水导热涂层原料的表面覆盖PDMS软模板层,置于紫外灯下照射10~60min,再将PDMS软模板层揭下,置于40~45℃的烘箱中烘干4~6h;第6步,含氟耐候层的制备:在第5步得到的疏水导热层的表面上热压含氟聚合物层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽正熹标王新能源有限公司,未经安徽正熹标王新能源有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711016968.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的