[发明专利]阵列基板及其制作方法有效
| 申请号： | 201710986889.9 | 申请日： | 2017-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN107818989B | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 平山秀雄 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种阵列基板及其制作方法。阵列基板包括在基底上设置有沿着第一方向间隔预定距离且并列设置的第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管，所述第一方向平行所述基底所在平面。第一薄膜晶体管包括自所述基底一侧沿着第三方向依次叠设置的第一有源层、第一栅极绝缘层、第一栅极、第一层间绝缘层以及第一源极/漏极，所述第一源极/漏极与所述第一有源层电性连接。所述第二薄膜晶体管包括自所述基底一侧沿着第三方向依次层叠设置的第二栅极、第二栅极绝缘层、第二源极/漏极以及第二有源层。所述第一有源层与所述第一栅极均为多晶硅材料，所述第二有源层为氧化物半导体材料，所述第三方向垂直于所述第一方向且沿着远离所述基底方向延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种阵列基板，其特征在于，在基底上设置有沿着第一方向间隔预定距离且并列设置的第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管，所述第一方向平行所述基底所在平面，其中：所述第一薄膜晶体管包括自所述基底一侧沿着第三方向依次叠设置的第一有源层、第一栅极绝缘层、第一栅极、第一层间绝缘层以及第一源极/漏极，所述第一源极/漏极与所述第一有源层电性连接；所述第二薄膜晶体管包括自所述基底一侧沿着第三方向依次层叠设置的第二栅极、第二栅极绝缘层、第二源极/漏极以及第二有源层；其中，所述第一有源层与所述第一栅极均为多晶硅材料，所述第二有源层为氧化物半导体材料，所述第三方向垂直于所述第一方向。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电技术有限公司，未经武汉华星光电技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710986889.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
