[发明专利]纳米绒面多晶硅电池叠层减反射膜及其制备方法、以及应用在审
| 申请号： | 201710963807.9 | 申请日： | 2017-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN107799613A | 公开（公告）日： | 2018-03-13 |
| 发明（设计）人： | 王伟;盛健;张淳 | 申请（专利权）人： | 张家港协鑫集成科技有限公司;协鑫集成科技股份有限公司;协鑫集成科技（苏州）有限公司;苏州协鑫集成科技工业应用研究院有限公司;徐州鑫宇光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 唐清凯 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种纳米绒面多晶硅电池叠层减反射膜及其制备方法、以及应用。纳米绒面多晶硅电池叠层减反射膜的制备方法包括如下步骤在无氧气氛下，加热硅基衬底，直至硅基衬底的温度升至550℃～650℃；然后通入氧气，对硅基衬底的纳米绒面进行热氧化处理，热氧化的温度为550℃～650℃，以在硅基衬底的纳米绒面上形成热氧化层；以及在热氧化层上形成一层氮化硅层，得到纳米绒面多晶硅电池叠层减反射膜。本发明的纳米绒面多晶硅电池叠层减反射膜能够在保证钝化效果的前提下、提高多晶硅的体寿命，有利于应用。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 多晶 电池 减反射膜 及其 制备 方法 以及 应用 | ||
【主权项】：
一种纳米绒面多晶硅电池叠层减反射膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在无氧气氛下，加热硅基衬底，直至所述硅基衬底的温度升至550℃～650℃；之后通入氧气，对所述硅基衬底的纳米绒面进行热氧化处理，热氧化的温度为550℃～650℃，以在所述硅基衬底的纳米绒面上形成热氧化层；以及在所述热氧化层上形成一层氮化硅层，得到纳米绒面多晶硅电池叠层减反射膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
