[发明专利]一种带锁存功能的比较器在审
| 申请号： | 201710961294.8 | 申请日： | 2017-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN107809227A | 公开（公告）日： | 2018-03-16 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长沙方星腾电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K5/24 | 分类号： | H03K5/24 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410205 湖南省长沙市长沙高新开*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种带锁存功能的比较器，属于半导体集成电路技术领域。包括第一PMOS晶体管P1、第二PMOS晶体管P2、第三PMOS晶体管P3、第一NMOS晶体管N1、第二NMOS晶体管N2、第三NMOS晶体管N3和第四NMOS晶体管N4；本发明的带锁存功能的比较器和传统的比较器电路相比，在不增加器件的基础上，引入了由第二PMOS晶体管P2、第三PMOS晶体管P3、第二NMOS晶体管N2、第三NMOS晶体管N3构成的锁存回路。与现有的比较器电路相比，本发明的比较器输出稳定，不容易受电源电压、环境温度等外部干扰，大大提升了比较器的稳定性。此外，本发明具有输出摆幅的优点，能支持满摆幅输出。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 带锁存 功能 比较 | ||
【主权项】：
一种带锁存功能的比较器，其特征在于，包括：第一PMOS晶体管P1、第二PMOS晶体管P2、第三PMOS晶体管P3、第一NMOS晶体管N1、第二NMOS晶体管N2、第三NMOS晶体管N3和第四NMOS晶体管N4；第一PMOS晶体管P1的源极接电源，栅极接锁存输入端LATCH，漏极接第二PMOS晶体管P2和第三PMOS晶体管P3的源极；第二PMOS晶体管P2的栅极接第二输出端VOUT2，漏极接第一输出端VOUT1；第三PMOS晶体管P3的栅极接第一输出端VOUT1，漏极接第二输出端VOUT2；第一NMOS晶体管N1的栅极接第一输入端VIN1，漏极接第一输出端VOUT1，源极接地；第二NMOS晶体管N2的栅极接第二输出端VOUT2，漏极接第一输出VOUT1端，源极接地；第三NMOS晶体管N3的栅极接第一输出端VOUT1，漏极接第二输出端VOUT2，源极接地；第四NMOS晶体管N4的栅极接第二输入端VIN2，漏极接第二输出端VOUT2，源极接地。
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