[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201710939827.2 | 申请日： | 2017-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN109599338B | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底上具有鳍部；对所述鳍部的顶部进行非晶化处理，在所述鳍部的顶部形成非晶区；在所述非晶区的顶部表面形成盖帽层；进行再结晶处理，使所述非晶区和盖帽层形成再结晶层；形成栅极结构和分别位于栅极结构两侧的源漏掺杂区，所述栅极结构横跨所述再结晶层和鳍部，且所述栅极结构覆盖部分再结晶层表面和部分鳍部侧壁表面，所述源漏掺杂区位于所述再结晶层内。所述方法能够降低器件的栅极感应漏极泄露电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上具有鳍部；对所述鳍部的顶部进行非晶化处理，在所述鳍部的顶部形成非晶区；在所述非晶区的顶部表面形成盖帽层；进行再结晶处理，使所述非晶区和盖帽层形成再结晶层；形成栅极结构以及分别位于栅极结构两侧的源漏掺杂区，所述栅极结构横跨所述再结晶层和鳍部，且所述栅极结构覆盖部分再结晶层表面和部分鳍部侧壁表面，所述源漏掺杂区位于所述再结晶层内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710939827.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件及其形成方法
- 下一篇：鳍式场效应晶体管器件及其形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
