[发明专利]超薄晶圆的封装方法

摘要

本发明提供了一种超薄晶圆的封装方法，所述超薄晶圆为一体成型结构，包括：超薄晶圆本体和设置于所述超薄晶圆本体周向外缘的外环，所述外环的厚度大于所述超薄晶圆本体的厚度；外环的正面和超薄晶圆本体的正面平齐；外环的背面凸出于超薄晶圆本体的背面；该超薄晶圆的封装方法包括：贴膜步骤：在所述超薄晶圆的背面贴底膜，使超薄晶圆本体和外环均与底膜贴合；切割步骤：切除外环，从超薄晶圆本体的正面进行切割，以切割出若干个芯片；贴片封装步骤：将切割形成的芯片从底膜上分离，并移至引线框架上进行封装。

主权项

1.一种超薄晶圆的封装方法，其特征在于，所述超薄晶圆为一体成型结构，所述超薄晶圆的厚度为50微米～100微米，包括：超薄晶圆本体和设置于所述超薄晶圆本体周向外缘的外环，所述外环的厚度大于所述超薄晶圆本体的厚度；外环的正面和超薄晶圆本体的正面平齐；外环的背面凸出于超薄晶圆本体的背面；该超薄晶圆的封装方法包括：贴膜步骤：将超薄晶圆置于真空贴膜机中，同时预热温度至60℃，并在小于50毫巴(mbar)的大气压力条件下将底膜贴于超薄晶圆的背面，使超薄晶圆本体和外环均与底膜贴合；切割步骤：切除外环，从超薄晶圆本体的正面进行切割，以切割出若干个芯片；贴片封装步骤：将切割形成的芯片从底膜上分离，并移至引线框架上进行封装；所述将切割形成的芯片从底膜上分离包括：利用方形矩阵分布的顶针从超薄晶圆本体的背面隔着底膜将芯片顶起，同时利用吸嘴从超薄晶圆的正面将芯片吸起；所述吸嘴包括一吸附端，其端面的尺寸小于芯片的尺寸，该吸附端的端面中间位置设有十字交叉的凹部，该凹部的中心为真空吸孔，吸嘴的吸附端朝向超薄晶圆本体正面并使该凹部形成真空腔从而将芯片吸起。