[发明专利]半导体散热板用Mo烧结部件以及使用该Mo烧结部件的半导体装置在审

专利信息
申请号: 201710886458.5 申请日: 2012-03-19
公开(公告)号: CN107658280A 公开(公告)日: 2018-02-02
发明(设计)人: 森冈勉;青山齐 申请(专利权)人: 株式会社东芝;东芝高新材料公司
主分类号: H01L23/373 分类号: H01L23/373;H01L23/488;C22C1/04;C22C27/04;C22C30/02
代理公司: 永新专利商标代理有限公司72002 代理人: 刘凤岭,陈建全
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种半导体散热板用Mo烧结部件,其由含有10~50质量%铜的钼合金材料构成,其特征在于所述钼合金材料的钼晶体的平均粒径为10~100μm,每500μm×500μm单位面积的Mo晶体的面积比的偏差在平均值的±10%以内。由于Mo和Cu的存在比例的偏差较小,因而可以得到热膨胀率等特性优良、且热膨胀率、强度等优良的半导体散热板用Mo烧结部件。
搜索关键词: 半导体 散热 mo 烧结 部件 以及 使用 装置
【主权项】:
一种半导体散热板用Mo烧结部件的制造方法,其特征在于,所述制造方法具有如下的工序:将铜粉末和钼粉末进行混合的工序;以及对得到的混合粉末进行烧结,从而得到钼合金材料的工序;所述钼合金材料的钼晶体的平均粒径为10~100μm,所述钼晶体的最大晶体粒径在平均粒径的2倍以下。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝;东芝高新材料公司,未经株式会社东芝;东芝高新材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710886458.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 一种高效散热场效应管封装框架-201920221236.6
  • 陈石元 - 深圳市鑫飞宏电子有限公司
  • 2019-02-21 - 2019-11-08 - H01L23/373
  • 一种高效散热场效应管封装框架,本实用新型涉及半导体器件技术领域,框架的前后两侧、上下两侧均设有一号绝缘保护层,一号绝缘保护层的外侧设有导热层,导热层的外侧固定有导热板,前后两侧、上下两侧的导热板相互连接构成矩形套框;导热板上横向固定有数个一号翅片,一号翅片上设有数个散热孔,相邻两个的一号翅片之间设有数个导热硅胶柱,导热硅胶柱固定于导热板上;相邻两个的导热硅胶柱之前设有导热铜柱,导热铜柱固定于导热板上;提高了导热效果,增大了散热面积,提高了散热效果,保证了器件的可靠性和使用寿命,而且设有绝缘保护,提高了安全性能。
  • 一种半导体芯片的封装结构-201610301601.5
  • 裴风丽 - 苏州能讯高能半导体有限公司
  • 2016-05-09 - 2019-11-05 - H01L23/373
  • 本发明涉及微电子技术领域,提供了一种半导体芯片的封装结构,其包括:金属载体层、第一热扩散层、导热粘附层以及半导体芯片。第一热扩散层位于金属载体层上;导热粘附层位于第一热扩散层上;半导体芯片位于导热粘附层上;第一热扩散层至少包括石墨烯层。本发明的半导体芯片的封装结构,由于第一热扩散层含有石墨烯层,而石墨烯层的热传导具有异向性,增大了热交换的面积,解决了由于芯片热源导致的导热粘附层散热不均匀的问题,减小了芯片与金属载体层间的热阻,提高了芯片的热导出效能。
  • IGBT叶片散热器件-201821925192.7
  • 管军凯;秦明礼;石磊;鲁慧峰;何庆;王月隆 - 厦门钜瓷科技有限公司
  • 2018-11-21 - 2019-11-05 - H01L23/373
  • 本实用新型提供了一种IGBT叶片散热器件,包括:氮化铝陶瓷散热单元,包括氮化铝陶瓷基板以及设置于所述氮化铝陶瓷基板表面的多个氮化铝陶瓷叶片;铜金属焊接层,间隔设置于所述氮化铝陶瓷基板的远离所述氮化铝陶瓷叶片的表面;IGBT芯片,通过焊层焊接于所述铜金属焊接层远离所述氮化铝陶瓷叶片的表面;第一引线,焊接于所述IGBT芯片以及所述铜金属焊接层之间;氮化铝导热树脂层,覆盖于所述铜金属焊接层、所述IGBT芯片以及所述第一引线上;封装层,封装于所述氮化铝导热树脂层的外表面;第二引线,其一端焊接于所述铜金属焊接层上,另一端从所述封装层中引出。
  • 一种表面包裹相变材料薄膜的被动式热管理电子器件-201821483128.8
  • 戴家杰;陈晓斌;黄金;王婷玉;唐军 - 广东工业大学
  • 2018-09-11 - 2019-10-29 - H01L23/373
  • 本实用新型公开了一种表面包裹相变材料薄膜的被动式热管理电子器件,包括电子器件主体和包裹在所述电子器件主体表面的相变材料薄膜壳体。本实用新型通过在电子器件主体的表面包裹相变材料薄膜壳体,相变材料薄膜壳体直接赋予电子器件被动式热管理能力,得到具有全新结构的被动式热管理电子器件。该被动式热管理电子器件能够在高热流密度下有效缓解温度上升,使用寿命远超普通电子器件,具有良好的热管理性能。
  • 一种铜基嵌入式组合热沉及其制备方法-201711175617.7
  • 邱万奇;李浩;刘仲武;莫东强;孙歌;卢启棠 - 华南理工大学;怀集登月气门有限公司
  • 2017-11-22 - 2019-10-18 - H01L23/373
  • 本发明属于散热管理材料领域,公开了一种铜基嵌入式组合热沉及其制备方法。所述铜基嵌入式组合热沉由CuCr0.5基体及CuCr0.5基体表层的复合层构成,所述复合层由金刚石粉嵌入CuCr0.5基体表层中形成。将预处理后的CuCr0.5基体的一面蒸镀一层硬脂酸膜,然后将金刚石粉沉降到硬脂酸膜表面,通过室温模压将金刚石颗粒半压入基体中,最后通过热模压的方法将CuCr0.5板料基体表面的金刚石颗粒全部压入基体中,扩散退火处理后得到产物。本发明基本消除了金刚石/基体界面处的V型沟槽,金刚石颗粒得到更有效的包覆,有效降低界面热阻的同时,降低表面热膨胀系数。
  • 石墨烯导热装置-201920339961.3
  • 崔春立 - 苏州领裕电子科技有限公司
  • 2019-03-18 - 2019-10-18 - H01L23/373
  • 本实用新型公开了一种石墨烯导热装置,包括一连续性的石墨烯薄膜,所述石墨烯薄膜呈连续性的层叠结构,层叠结构包括向一个方向弯折的第一折叠部和向相反方向弯折的第二折叠部,所述第一折叠部和所述第二折叠部间隔设置,所述第一折叠部和所述第二折叠部之间呈一夹角。其有益效果是,本专利是使用石墨烯薄膜为导热界面材料,而且设置了连续性的层叠结构,可以压缩,压缩比达到30%以上。石墨烯材料本身导热效果优越。产品折叠结构,可以产生任何厚度,并且可以压缩,用于填充间隙。相比于传统的石墨材质的导热片而言,石墨材质的导热片无法折叠,折叠后会发生断裂,但是本实用新型的石墨烯薄膜可以进行折叠,而且不会影响其传热性能。同时折叠后的层叠结构具有一定的压缩比,也可以更方便的适用于不同厚度的间隙填充。
  • 一种石墨烯散热片-201710892840.7
  • 刘道灵 - 新昌县立诺智能科技有限公司
  • 2017-09-27 - 2019-10-08 - H01L23/373
  • 本发明公开了一种石墨烯散热片,包括散热片,所述散热片的背面固定连接有石墨烯本体,并且石墨烯本体的两侧且位于散热片的两侧均固定连接有U型板,所述U型板的顶部和底部均设置有螺钉,并且螺钉的一端贯穿U型板并延伸至U型板的内壁,所述螺钉延伸至U型板内壁的一端与散热片的顶部和底部固定连接,所述U型板的一侧固定连接有箱体,并且箱体内腔底部的一侧固定连接有水泵,本发明涉及石墨烯技术领域。该石墨烯散热片,效果显著,安全可靠,大大的方便了使用者的使用,使得该装置具有很好的散热功能,能够对石墨烯本体进行很好的固定,方便快捷,保证了该装置的正常工作,使得该装置具有很好的固定功能。
  • 一种用于超薄本的铜基石墨烯散热系统-201910475144.5
  • 不公告发明人 - 上海欣材科技有限公司
  • 2019-06-03 - 2019-10-01 - H01L23/373
  • 本发明公开了一种用于超薄本的铜基石墨烯散热系统,包括铝合金导热层、铜传导层和若干个导热柱;所述铝合金导热层的下表面设有若干个安装槽,铝合金导热层的上表面设有若干个第一凹槽;所述的铜传导层的下表面设有若干个与第一凹槽相配的第一凸起,所述第一凸起的上表面均对应设有第二凹槽;所述导热柱的表面均附有石墨烯,导热柱的侧壁均嵌入在第二凹槽中,若干个导热柱组成网状结构,且呈横向分布的导热柱的左端均与散热鳍片的侧壁相连,所述散热鳍片的下表面与散热风扇相连。本装置可有效的将超薄本中各个芯片产生的热量进行收集,并通过散热鳍片和散热风扇将热量排出,从而有效的提升超薄本的使用寿命。
  • 半导体器件及其形成方法-201510456885.0
  • 谢欣云;周鸣 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2015-07-29 - 2019-09-27 - H01L23/373
  • 一种半导体器件及其形成方法,其中,所述半导体器件包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底表面具有凸起的鳍部;位于所述鳍部侧壁的绝缘层,所述绝缘层位于所述半导体衬底表面,且其表面低于鳍部的顶部表面,所述绝缘层的导热系数大于氧化硅的导热系数。半导体器件中鳍部侧壁的绝缘层选用导热系数大于氧化硅的导热系数的绝缘材料,在保证绝缘的同时,提高了传热速率。因此,半导体器件工作的过程中,鳍部附近或半导体衬底内产生的热量通过上述导热系数大的绝缘层传导出去,可快速降低半导体器件的温度,提高了半导体器件的散热性,从而提高其性能。
  • 包括金属板和布置在该金属板上的基板的功率半导体器件-201910179118.8
  • 约尔格·阿蒙;哈拉尔德·科波拉 - 赛米控电子股份有限公司
  • 2019-03-11 - 2019-09-24 - H01L23/373
  • 本发明涉及包括金属板和布置在该金属板上的基板的功率半导体器件(1),其包括:金属板(2);被布置在金属板(2)上的并且具有陶瓷板(3a)的基板(3),在该陶瓷板(3a)的背离该金属板(2)的第一主侧(3a’)上涂覆有第一金属化层(3b),该第一金属化层(3b)被构造用以形成导体轨道(3b’);被布置在该导体轨道(3b’)上的并且与该导体轨道(3b’)导电连接的功率半导体组件(4);和被布置在该金属板(2)和该基板(3)之间的粘合剂(5),该粘合剂(5)具有与该基板(3)的第一主侧(3a”、3c’)和该金属板(2)的第一主侧(2a)的相应的机械接触,并且形成以材料结合的方式将该基板(3)连接到该金属板(2)的粘合剂结合连接。
  • 一种金属热界面材料及其制备方法-201810693987.8
  • 曹宇;郑翰;朱唐;于洋 - 北京梦之墨科技有限公司
  • 2018-06-29 - 2019-09-24 - H01L23/373
  • 本发明提出了一种金属热界面材料及其制备方法,制备方法包括:按一定比例将第一熔点金属与第二熔点金属均匀混合一段时间;在混合的过程中,使第一熔点金属与第二熔点金属部分发生合金反应得到,并在充氩气或真空的环境中冷冻保存。本发明的金属热界面材料能够浸润固体界面,填充接触界面的空隙,降低接触热阻,避免流动溢出对电子元器件产生污染甚至造成短路。
  • 一种中功率逆变器单管散热结构-201910644591.9
  • 葛叶明;熊俊峰;董航飞;汪腾;徐亮;徐金城 - 中天昱品科技有限公司
  • 2019-07-17 - 2019-09-20 - H01L23/373
  • 本发明公开了一种中功率逆变器单管散热结构,包含散热器、导热矽胶布、绝缘阻燃片、铜片、IGBT单管组、绝缘压块和PCB板,IGBT单管组管脚焊接在PCB板上,IGBT单管组水平设置在PCB板一侧,绝缘压块设置在IGBT单管组和PCB板之间,铜片一侧设置在IGBT单管组外侧侧面上,绝缘阻燃片上开有与铜片匹配的槽孔,铜片嵌设在绝缘阻燃片的槽孔内并且铜片另一侧设置在导热矽胶布一侧,导热矽胶布另一侧与散热器连接。本发明增大了散热面积,进一步分散热源,降低IGBT单管温升,同时,消除因IGBT短路失效引起散热器表面损伤的风险。
  • 致冷晶片散热模组-201910451035.X
  • 陈李龙;王庆顺;蔡金宏 - 台达电子工业股份有限公司
  • 2016-01-29 - 2019-09-17 - H01L23/373
  • 本发明涉及一种致冷晶片散热模组,其包括第一电路板、第二电路板、多个第一传导件、多个第二传导件及多个TED晶粒,第一电路板具有多个第一电路区,第一电路区具有第一传导层及设有多个第一贯穿孔;第二电路板具有多个第二电路区,第二电路区具有第二传导层及设有多个第二贯穿孔;各第一传导件分别穿过于各第一贯穿孔;各第二传导件分别穿过于各第二贯穿孔;各TED晶粒被夹掣在第一电路板与第二电路板之间,各第一传导件一端与TED晶粒贴接,另一端与第一传导层贴接,各第二传导件一端与TED晶粒贴接,另一端与第二传导层贴接。
  • 一种功率模块封装装置-201920168207.8
  • 王俊舟;段庆锋;张亮亮;李跃闯 - 洛阳隆盛科技有限责任公司
  • 2019-01-31 - 2019-09-13 - H01L23/373
  • 一种功率模块封装装置,涉及一种封装装置,包括壳体,壳体为下端设有开口的方形金属壳体,壳体内设有通过导热胶灌封块灌封的功率器件,壳体的下端开口上固定有基板,在壳体的下端开口与基板的四周边缘之间设有预成型焊料框体,基板上设有若干个引脚孔,功率器件下部的多个引脚分别穿过基板上的若干个引脚孔设置在基板外部;本实用新型结构简单、使用方便,壳体为下部开口式结构,可快速完成导热胶灌封块的灌封。
  • 复合散热结构-201822196364.8
  • 王飞;孙学栋 - 深圳市烯世传奇科技有限公司
  • 2018-12-25 - 2019-09-10 - H01L23/373
  • 本实用新型属于电子散热结构技术领域,尤其涉及一种复合散热结构,复合散热结构包括:金属散热器;第一热界面材料层,涂覆于所述金属散热器的底面,所述第一热界面材料层覆盖金属散热器的底面;导热膜,设于所述第一热界面材料层的底面,所述导热膜覆盖所述第一热界面材料层且至少一侧相对于所述金属散热器伸出形成延伸部。本申请由于金属散热器和导热膜通过第一热界面材料层组合在一起,金属散热器和导热膜的散热优势相结合,复合散热结构在切向和法向方向上都具有良好的导热性能,安装于电子设备时,通过复合散热结构能实现热量的快速传递和高效散热,并且,导热膜还具有延伸部,延伸部可增加散热面积,从而进一步提高散热效率,散热效果好。
  • 导热性片材-201880008474.7
  • 远藤晃洋;石原靖久;山口久治;茂木正弘 - 信越化学工业株式会社
  • 2018-01-16 - 2019-09-10 - H01L23/373
  • 在富于耐热性、电绝缘性和机械强度的芳族聚酰亚胺等的合成树脂膜层的两面或单面层叠了导热性有机硅组合物的固化物层的导热性片材中,通过该导热性有机硅组合物含有包含粘接性赋予剂的有机硅化合物成分和相对于该有机硅化合物成分100质量份为250~600质量份的DOP吸油量为80ml/100g以下的非球状的导热性填充材料,从而能够通过连续成型制造具有高导热性、高绝缘性、牢固的层间粘接性、进而不发生使用时的脆化的导热性片材。
  • 多层冷却装置-201580048095.7
  • A.多恩;R.迪尔施;R.莱奈斯 - 陶瓷技术有限责任公司
  • 2015-09-09 - 2019-09-03 - H01L23/373
  • 为了更多空间可提供给其它电路元件(线圈、电容器)和/或可以安放对于屏蔽电路所必需的附加的电路元件而提出,金属化区域相叠地布置在至少两个金属化层内,其中载体本体(1)具有如下表面,在所述表面上,烧结的金属化区域被布置在第一金属化层内,所述烧结的金属化区域承载电子器件和/或被结构化成,使得所述金属化层形成电阻或者线圈并且所述金属化区域与所述器件和/或所形成的电阻或线圈一起被陶瓷板(5)覆盖,并且可选地在所述陶瓷板上,所述烧结的金属化区域中的其它金属化区域被布置在其它的金属化层内并且分别用陶瓷板来覆盖,并且在最上方的、远离所述冷却元件的陶瓷板(5)上,烧结的金属化区域布置在用于容纳电路元件的金属化层内。
  • 一种基于石墨烯热界面层的高效散热封装结构及其制造方法-201711171356.1
  • 曹立强;孙鹏 - 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
  • 2017-11-22 - 2019-08-30 - H01L23/373
  • 本发明公开了一种基于石墨烯热界面层的散热结构,包括:多层石墨烯层,每层石墨烯层具有厚度以及相同的长度和宽度;多层粘合层,每层粘合层具有厚度以及与所述石墨烯层相同的长度和宽度,并且与所述石墨烯层交替形成层叠结构,其中从所述层叠结构的一端开始以宽度方向为轴沿长度方向螺旋卷曲所述层叠结构,形成柱形螺旋卷,所述螺旋卷的顶面和底面是由多层石墨烯层和多层粘合层的相对的两个厚度面螺旋卷曲形成的平面。有效的利用石墨烯高面内热导率,实现高效散热封装。
  • 热传导片以及多重热传导片-201880006784.5
  • 河村典裕;高桥大志 - 松下知识产权经营株式会社
  • 2018-01-12 - 2019-08-30 - H01L23/373
  • 本公开涉及可搭载于具备发热量较大的发热部件并且可折弯的电子设备的热传导片。本公开的热传导片具备散热片,该散热片具有:石墨片、被设置于石墨片的一面侧的第1保护膜、和被设置于石墨片的另一面侧的第2保护膜。散热片具有:被折弯的折弯部、和经由折弯部而连结并且相互在俯视下重叠的第1散热部和第2散热部,在第1散热部与第2散热部之间具有第1散热部与第2散热部未粘接的第1非粘接区域。
  • 电子设备的散热材料及制备方法、电子设备及散热方法-201710595752.0
  • 梁华锋 - 广东小天才科技有限公司
  • 2017-07-20 - 2019-08-27 - H01L23/373
  • 本发明适用于电子设备散热技术领域,公开了一种电子设备的散热材料及制备方法、电子设备及散热方法。散热材料包括用于中间蓄热缓释层和散热层,中间蓄热缓释层包括呈膏状的膏状混合物层和散热膜,膏状混合物层包括石墨粉和石蜡粉,石墨粉的质量占比为20%至50%,石蜡粉的质量占比为40%至70%。电子设备内有上述散热材料。散热方法采用上述散热材料。制备方法,包括以下步骤:裁切散热膜;将含石墨粉的质量占比为20%至50%且含石蜡粉的质量占比为40%至70%的膏状混合物设置于散热膜的热固化胶上。本发明所提供的一种电子设备的散热材料及制备方法、电子设备及散热方法,其可以使电子芯片的工作温度在限定值内,用户体验佳。
  • 一种氮化镓与金刚石膜的复合散热结构-201822247410.2
  • 王忠强;丁雄傑;王琦;张国义;李成明 - 北京大学东莞光电研究院
  • 2018-12-28 - 2019-08-27 - H01L23/373
  • 本实用新型涉及一种氮化镓与金刚石膜的复合散热结构,包括氮化镓晶片和金刚石膜,氮化镓晶片凹设有若干个盲孔,金刚石膜沉积生长在氮化镓晶片和盲孔表面,本实用新型在氮化镓晶片设置盲孔并在具有盲孔的一面沉积生长有金刚石膜,一方面由于金刚石膜的热导率高于氮化镓晶体,可以提高器件总的导热率,加快散热,另一方面由于氮化镓晶体与金刚石膜的膨胀系数不一致,氮化镓晶体表面的凹凸结构可以增加氮化镓晶体与金刚石膜的之间附着力,减少在器件温度变化时产生的热应力和形变,性能更为稳定。
  • 一种柔性散热薄膜及其制作方法和复合柔性散热薄膜-201710718681.9
  • 兰育辉;荣辉;雷志涛;徐鹏 - 硕阳科技股份公司
  • 2017-08-21 - 2019-08-23 - H01L23/373
  • 本发明涉及一种柔性散热薄膜及其制作方法和复合柔性散热薄膜,该薄膜包括泡沫金属基材层、位于泡沫金属基材层上、下侧的改性石墨烯浆料层,改性石墨烯浆料层中的改性石墨烯浆料至少有部分渗透到泡沫金属基材层中,薄膜的厚度为5um~500um;其中,泡沫金属基材层中的金属为铜、镍、银、铝中的至少一种,改性石墨烯浆料层是指含有由石墨烯、纳米金属、金属氧化物和金属氮化物组成的特性材料的浆料层。柔性散热薄膜的制作方法是指在泡沫状金属基材上使用涂覆工艺将改性石墨烯浆料涂覆于基材上、经烘干或镀膜成型压延制得柔性散热薄膜。本案的柔性散热薄膜高抗拉强度、耐高温散热的各种形状的超薄散热片或折叠式散热器件。
  • 高导热型硅胶片及移动终端-201822088605.7
  • 赵顺朋 - 重庆硅智谷新材料有限公司
  • 2018-12-13 - 2019-08-20 - H01L23/373
  • 本实用新型的实施方式公开了一种高导热型硅胶片,包括第一壳体、硅胶片本体、第二壳体;第一壳体具有第一容纳腔,且第一容纳腔的腔壁上开设若干个通孔;第二壳体具有第二容纳腔,第二容纳腔内填充有氧化铝陶瓷颗粒;第一壳体具有一开口,硅胶片本体、第二壳体自开口设置于第一容纳腔内,第二壳体与导热硅胶片之间设置有镂空壳体。本实用新型实施方式通过在第二壳体内填充氧化铝陶瓷颗粒,并在第二壳体与硅胶片本体之间设置镂空壳体,使得高导热型硅胶片的热量得以流通,从而提高了高导热型硅胶片的散热效果。
  • 一种复合导热石墨膜-201910318105.4
  • 付学林 - 苏州市达昇电子材料有限公司
  • 2019-04-19 - 2019-08-16 - H01L23/373
  • 本发明公开了一种复合导热石墨膜,包含至少1层复合导热层;所述复合导热层,包含复合层;所述复合层的上表面设置有粘胶层;所述复合层,包含人工石墨层;所述人工石墨层的上表面或下表面设置有石墨烯涂层;本发明所述的复合导热石墨膜能替代薄型热管或薄型VC均温板、具有同等甚至更好的性能,且成本低。
  • AlN基板高效散热HEMT器件及其制备方法-201710671295.9
  • 汪连山;吉泽生;赵桂娟;孟钰淋;李方政;杨少延;王占国 - 中国科学院半导体研究所
  • 2017-08-08 - 2019-08-16 - H01L23/373
  • 本公开提供了一种AlN基板高效散热HEMT器件,自下而上包括:AlN陶瓷基板、AlN成核层、AlN高阻层、GaN或InxGa1‑xN沟道层、AlyIn1‑yN空间电荷层、以及AlzGa1‑zN势垒层;其中,所述AlN陶瓷基板与所述AlN成核层之间键合连接,所述AlN陶瓷基板用于对所述HEMT器件进行散热。本公开还提供了一种AlN基板高效散热HEMT器件的制备方法。本公开HEMT器件及其制备方法,散热能力大幅提高,成本相对较低,工艺简单,有效提高了击穿电压,减少了寄生电容,提高了HEMT器件的性能。
  • 一种新型MOS管及其制备方法-201910491143.X
  • 吴梦;张仁龙;周爱芬 - 上海金卫实业有限公司
  • 2019-06-06 - 2019-08-02 - H01L23/373
  • 本发明公开了一种新型MOS管,包括MOS管本体,所述MOS管本体的侧壁通过锡膏黏贴有陶瓷片,所述MOS管本体的中部开设有第一圆孔,至少一部分的所述MOS管本体的侧壁开设有大小不一的弧形槽;本发明还提出一种新型MOS管的制备方法,包括以下步骤:S1、将金属浆料印刷在陶瓷片上,烧结炉高温加热500‑900℃,加热时间为30‑60min;S2、在所述步骤S1制备的金属层上印刷锡膏;S3、将MOS管本体粘在锡膏上,放入回流炉内烧结温度180‑220℃,加热时间为10‑20min。本发明散热组件采用陶瓷片,相较于原来的散热块更薄了,整个MOS管体积缩小为原来的1/3;散热系数更好了。
  • 一种导热硅胶垫的制备方法-201810063856.1
  • 高雄 - 东莞市哲华电子有限公司
  • 2018-01-23 - 2019-07-30 - H01L23/373
  • 本发明涉及硅胶垫制备技术领域,尤其涉及一种导热硅胶垫的制备方法,包括以下步骤:步骤1、第一次热压;步骤2、第一次冲切边料;步骤3、第二次热压;步骤4、取料,该用于电子产品的硅胶垫片带厚度薄,柔韧性好,非常易于贴合器件和散热器表面。用于电子产品的硅胶垫片带还能适应冷、热温度的变化,保证性能的一致和稳定。该硅胶垫具有高导热和绝缘的特性,并具有柔软性、压缩性、服帖性、强粘性,适应温度范围大,能紧密牢固地贴合热源器件和散热片,将热量快速传导出去。
  • 一种新型带铜基板的200-600A650Vm模块结构-201920111422.4
  • 刘海军;陈庆;陈毅豪 - 山东斯力微电子有限公司
  • 2019-01-23 - 2019-07-23 - H01L23/373
  • 本实用新型公开了一种新型带铜基板的200‑600A650Vm模块结构,具体涉及IGBT模块封装领域,包括模块本体,所述模块本体的顶端四角均开设有第一螺栓孔,且模块本体的顶部两端中间处均开设有第二螺栓孔,所述模块本体的底部设置有铜基板,所述铜基板的四侧外壁均开设有卡槽,所述模块本体的底部四侧中间处均设置有侧板,所述侧板远离铜基板的一侧外壁开设有凹槽,所述侧板靠近铜基板的一侧外壁开设有收缩孔。本实用新型通过设置有铜基板,铜基板可以加快模块本体运行时产生的热量传递速度,从而可以大大加强模块本体的散热速度,便于散热,从而使模块的功率提高,通过设置有卡头和卡槽,可以方便铜基板的拆卸安装。
  • 一种导热垫-201822019030.3
  • 肖彪;何林;李想;叶周 - 珠海格力电器股份有限公司
  • 2018-12-04 - 2019-07-19 - H01L23/373
  • 本实用新型涉及散热技术设计领域,具体涉及一种导热垫,包括导热垫基材和石墨烯导热结构,所述石墨烯导热结构设置在导热垫基材内部,或者所述石墨烯导热结构设置在上下叠放的两层导热垫基材之间。通过在导热垫中设置石墨烯导热结构,充分利用石墨烯横向导热率高的特性,加强整体导热垫的导热效果;石墨烯导热结构与导热垫基材的底面又呈一定角度设置,如此设置,将导热垫的受压改变了方向,减小了力矩,有效降低了石墨烯导热结构的受力大小,防止石墨烯导热结构因受力太大而折断。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top