[发明专利]一种用于基因转染中可光场调控基因快速释放的方法有效
| 申请号： | 201710851642.6 | 申请日： | 2017-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN107723305B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 程逵;姚利利;翁文剑 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C12N15/63 | 分类号： | C12N15/63 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 万尾甜;韩介梅 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种用于基因转染中可光场调控基因快速释放的方法，该方法中使用具有光伏效应的p+/n型或n+/p型硅基板作为基因承载平台，吸附质粒或质粒/载体复合物，培养细胞；也可采用聚合物薄膜层修饰硅基板再作为基因承载平台；细胞培养后，通过光场照射可使基因快速释放，由细胞摄入完成基因传递及表达。其中p+/n型硅基板中硼元素扩散深度为100～600nm，扩散浓度为1×10 |
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| 搜索关键词： | 一种 用于 基因 转染 中可光场 调控 快速 释放 方法 | ||
【主权项】：
一种用于基因转染中可光场调控基因快速释放的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)以具有光伏效应的p+/n型或n+/p型硅基板表面作为基因承载平台，在硅基板上吸附质粒或质粒/载体复合物，然后进行细胞培养；(2)细胞培养后，通过光场照射处理，使吸附在基板表面的质粒或质粒/载体复合物快速释放，从而被细胞摄入，完成基因传递及表达。
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