[发明专利]一种可双向导通限流的负载开关有效

专利信息
申请号: 201710835590.3 申请日: 2017-09-15
公开(公告)号: CN107425832B 公开(公告)日: 2023-10-13
发明(设计)人: 吴珂;刘国成 申请(专利权)人: 启攀微电子(上海)有限公司
主分类号: H03K17/06 分类号: H03K17/06;H03K17/08
代理公司: 上海申新律师事务所 31272 代理人: 俞涤炯
地址: 201100 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种可双向导通限流的负载开关,通过在主控P型MOS管的两侧各设置一组采样电路,通过误差放大器控制主控P型MOS管的栅极,并在采样电路设置一二极管。本发明的技术方案实现在双向通导的同时进行双向限流,同时具有防电源和地反接的功能。
搜索关键词: 一种 双向 限流 负载 开关
【主权项】:
一种可双向导通限流的负载开关,其特征在于,所述负载开关分别连接第一端口和第二端口,所述负载开关还包括:主控P型MOS管,所述主控P型MOS管的源极和漏极分别连接所述第一端口和所述第二端口,用于控制所述第一端口和所述第二端口的双向通导的状态;第一P型MOS管,所述第一P型MOS管的栅极与所述主控P型MOS管的栅极连接,所述第一P型MOS管的源极和漏极分别连接所述第二端口和第一节点,用于对从所述第二端口流向所述第一端口的电流进行采样;第二P型MOS管,所述第一P型MOS管的源极和漏极分别连接所述第一节点和第三节点;第一误差放大器,所述第一误差放大器的两个输入端分别连接所述第一节点和所述第一端口,所述第一误差放大器的输出端连接所述第二P型MOS管的栅极,用于与所述第二P型MOS管组合控制所述第一P型MOS管的源漏电压等于所述主控P型MOS管的源漏电压;第三P型MOS管,所述第三P型MOS管的栅极与所述主控P型MOS管的栅极连接,所述第三P型MOS管的源极和漏极分别连接所述第一端口和第二节点,用于对从所述第一端口流向所述第二端口的电流进行采样;第四P型MOS管,所述第四P型MOS管的源极和漏极分别连接所述第二节点和所述第三节点;第二误差放大器,所述第二误差放大器的两个输入端分别连接所述第二节点和所述第二端口,所述第二误差放大器的输出端连接所述第四P型MOS管的栅极,用于与所述第四P型MOS管组合控制所述第二P型MOS管的源漏电压等于所述主控P型MOS管的源漏电压;第三误差放大器,所述第三误差放大器的两个输入端分别连接所述第三节点和一基准电压端口,所述第三误差放大器的输出端连接所述主控P型MOS管的栅极,用于控制所述主控P型MOS管进行双向限流。
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