[发明专利]MOM电容、MOM电容阵列及MOM电容阵列的布局和走线方法在审
| 申请号： | 201710831547.X | 申请日： | 2017-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN107633128A | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | 赵长猛;赵喆;刘寅 | 申请（专利权）人： | 北京华大九天软件有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司11467 | 代理人： | 王金双 |
| 地址： | 100102 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种MOM电容、MOM电容阵列及MOM电容阵列的布局和走线方法，所述MOM电容包括中间金属层和上下屏蔽层，其中，所述中间金属层由插指形式的上极板和下极板构成，所述下极板包围所述上极板；所述上下屏蔽层采用整片结构；所述上下屏蔽层和所述中间金属层层叠在一起，通过通孔进行连接。本发明的MOM电容、MOM电容阵列及MOM电容阵列的布局和走线方法，可以克服现有工艺的不足，把MOM电容的失配率做的很小，并且减小电容阵列占用的版图面积，以及减小走线寄生、提高电容匹配性，满足电容阵列中单位电容、位电容的精度要求。 | ||
| 搜索关键词： | mom 电容 阵列 布局 方法 | ||
【主权项】：
一种MOM电容，其特征在于，包括：中间金属层和上下屏蔽层，其中，所述中间金属层由插指形式的上极板和下极板构成，所述下极板包围所述上极板；所述上下屏蔽层采用整片结构；所述上下屏蔽层和所述中间金属层层叠在一起，通过通孔进行连接。
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