[发明专利]一种叠层双色红外焦平面探测器及其制备方法

摘要

本发明涉及一种叠层双色红外焦平面探测器及其制备方法，属于半导体光电子器件技术领域。本发明将分布布拉格反射镜结构引入叠层InAs/GaSb双色超晶格结构光敏芯片中，分别对叠层双色光敏吸收区未完全吸收的红外光进行反射，使之重新返回吸收区本发明。通过对叠层双色红外探测器的两个通道采用反射镜层，提高了芯片相应通道的光电吸收效率，达到了提高器件性能指标的目的，同时相应减少了外延生长第一通道外延结构层和第二通道外延结构层的难度。

主权项

1.一种叠层双色红外焦平面探测器，其特征在于，该探测器包括衬底(101)，在衬底(101)上面依次为外延缓冲层(102)、第一通道外延结构层(104)、第一通道反射镜层(105)、第二通道外延结构层(107)、盖帽层(108)和第二通道反射镜层(110)，还包括位于衬底(101)之上的第一通道电极层(103)以及位于盖帽层(108)之上的第二通道电极层(109)，第一通道外延结构层(104)的红外吸收转换中心波长比第二通道外延结构层(107)的红外吸收转换中心波长短；所述第一通道反射镜层(105)为分布布拉格反射镜，由GaSb和AlSb薄层交替组成，且第一通道反射镜层(105)的反射中心波长与第一通道外延结构层(104)红外吸收转换中心波长相等；所述第二通道反射镜层(110)为分布布拉格反射镜，由SiO₂和Ge薄层交替组成，且第二通道反射镜层(110)的反射中心波长与第二通道外延结构层(107)红外吸收转换中心波长相等；所述外延缓冲层(102)由III‑V族半导体材料体系中，晶格常数为0.61nm的GaSb薄层组成，所述第一通道外延结构层(104)和第二通道外延结构层(107)均由III‑V族半导体材料体系中，晶格常数为0.61nm的InAs和GaSb薄层交替组成。