[发明专利]一种二元高温压电陶瓷的制备在审
| 申请号： | 201710745780.6 | 申请日： | 2017-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN107721410A | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 范桂芬;金善龙;郝孟猛;吕文中;王晓川;邓皓元;周静怡 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/475 | 分类号： | C04B35/475;C04B35/622 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种二元高温压电陶瓷的制备，采用PbO和(MgCO3)4·Mg(OH)2·5H2O，不用合成前驱体MgTiO3，将所有原材料进行混合球磨，一次性制得压电陶瓷的预烧粉体；对于(1‑x)Bi(Mg0.5Ti0.5)O3‑xPbTiO3压电陶瓷体系，当x＝0.38时，处于准同型相界，性能参数依次为d33＝205pC/N、Kp＝0.33、Qm＝22、tanδ＝52*10‑3、εr＝1128、Tc＝440℃；与现有技术相比，本发明以Bi(Mg0.5Ti0.5)O3‑PbTiO3二元压电陶瓷作为基体材料进行研究，通过固溶和取代的方式，改善压电陶瓷的居里温度和介电压电性能，具有推广应用的价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二元 高温 压电 陶瓷 制备 | ||
【主权项】：
一种二元高温压电陶瓷的制备，其特征在于，包括以下步骤：首先对基体材料Bi(Mg0.5Ti0.5)O3‑PbTiO3二元压电陶瓷的制备：采用PbO和(MgCO3)4·Mg(OH)2·5H2O，不用合成前驱体MgTiO3，将所有原材料进行混合球磨，一次性制得压电陶瓷的预烧粉体；对于(1‑x)Bi(Mg0.5Ti0.5)O3‑xPbTiO3压电陶瓷体系，当x＝0.38时，处于准同型相界，性能参数依次为：d33＝205pC/N、Kp＝0.33、Qm＝22、tanδ＝52*10‑3、εr＝1128、Tc＝440℃；当固溶弛豫铁电体PZN时，能够改善压电陶瓷的介电性能，却会降低居里温度和压电性能，固溶量为1mol％时，性能最优异：d33＝184pC/N、Kp＝0.32、Qm＝18、εr＝1033、tanδ＝60*10‑3、Tc＝420℃，整体而言，最佳制备工艺条件为烧结温度1050℃，烧结保温时间5h。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学，未经华中科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710745780.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
