[发明专利]一种获得大孔径双通孔AAO膜的方法有效
| 申请号： | 201710659822.4 | 申请日： | 2017-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN107502936B | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 李阳平;李莉;刘鹏;马智达;陈一丹;韦秋霞 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | C25D11/12 | 分类号： | C25D11/12;C25D11/10;C25D11/08 |
| 代理公司： | 61254 西安中科汇知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李慧芳 |
| 地址： | 710072 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种获得大孔径双通孔AAO膜的方法，其包括以下步骤：1、对铝箔预处理，获得表面呈镜面光滑平整的铝箔；2、通过二次阳极氧化法制备出带铝基底和阻挡层的大孔径单通孔AAO膜，阳极氧化电解液为磷酸(含量为0.05M～0.2M)和草酸钠(含量为0.01M～0.03M)的混合溶液；3、通过腐蚀剥离方法去除大孔径单通孔AAO膜的铝基底和阻挡层，铝基底腐蚀液为氯化铜(含量为0.1M～0.15M)和三氯化铁(含量为0.15M～0.18M)的混合溶液。本发明的有益之处在于：获得了大孔径、孔洞排列有序、面积大、完整性好的双通孔AAO膜。 | ||
| 搜索关键词： | 大孔径 铝基 铝箔 混合溶液 双通孔 阻挡层 单通 预处理 阳极氧化电解液 二次阳极氧化 镜面 光滑平整 孔洞排列 三氯化铁 草酸钠 腐蚀液 氯化铜 磷酸 去除 剥离 腐蚀 | ||
【主权项】：
1.一种获得大孔径双通孔AAO膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：/n一、对铝箔进行预处理，获得表面呈镜面光滑平整的铝箔；/n二、通过二次阳极氧化法制备出带铝基底和阻挡层的大孔径单通孔AAO膜，具体如下：/nStep2.1：制备阳极氧化电解液，该阳极氧化电解液为磷酸和草酸钠的混合溶液，其中，磷酸的含量为0.2M，草酸钠的含量为0.03M；/nStep2.2：将经过预处理的铝箔作为阳极，浸入Step2.1所制备得到的阳极氧化电解液中，将铂网作为阴极，进行第一次阳极氧化，氧化电压为150V，氧化温度为-1℃，氧化时间为3h；/nStep2.3：去除第一次氧化得到的氧化铝层，然后将去除氧化铝层的铝箔作为阳极，浸入Step2.1所制备得到的阳极氧化电解液中，将铂网作为阴极，进行第二次阳极氧化，氧化电压为150V，氧化温度为-1℃，氧化时间为6h，获得大孔间距AAO膜；/nStep2.4：将Step2.3所获得的大孔间距AAO膜放置在浓度为0.75M的氢氧化钠溶液中进行腐蚀，腐蚀时间为2min，获得大孔径单通孔AAO膜；/n三、通过腐蚀剥离方法去除大孔径单通孔AAO膜的铝基底和阻挡层，具体如下：/nStep3.1：在大孔径单通孔AAO膜上涂覆一层聚甲基丙烯酸甲酯作为保护膜，然后去除铝基体另一面的氧化铝层，露出铝基体；/nStep3.2：制备铝基底腐蚀液，该铝基底腐蚀液为氯化铜和三氯化铁的混合溶液，其中，氯化铜的含量为0.15M，三氯化铁的含量为0.15M，在室温下对Step3.1所获得的大孔径单通孔AAO膜进行腐蚀，直至铝基底完全被去除，露出氧化铝阻挡层；/nStep3.3：将Step3.2所获得的已去除铝基底的大孔径单通孔AAO膜放置在浓度为0.5M的磷酸溶液中，在80℃温度下进行腐蚀，直至阻挡层完全被去除，获得大孔径双通孔AAO膜；/nStep3.4：将Step3.3所获得的大孔径双通孔AAO膜转移到其它衬底上，去除聚甲基丙烯酸甲酯保护膜。/n
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