[发明专利]一种常压烧结制备高热导率氮化硅陶瓷的方法有效
| 申请号： | 201710623307.0 | 申请日： | 2017-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN109305816B | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 张景贤;段于森;李晓光 | 申请（专利权）人： | 浙江多面体新材料有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584;C04B35/64 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;熊子君 |
| 地址： | 313023 浙江省湖州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种常压烧结制备高热导率氮化硅陶瓷的方法，包括：以总配料质量100%计，将氮化硅粉体95～70%、烧结助剂5～30%均匀混合，得到陶瓷混合粉体，所述烧结助剂是以TiO |
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| 搜索关键词： | 一种 常压 烧结 制备 高热 氮化 陶瓷 方法 | ||
【主权项】：
1.一种采用以TiO2为主烧结助剂常压烧结制备致密氮化硅陶瓷的方法，其特征在于，包括：以总配料质量100%计，将氮化硅粉体95～70%、烧结助剂5～30%均匀混合，得到陶瓷混合粉体，所述烧结助剂是以TiO2为主烧结助剂，以Y2O3、Sc2O3、Sm2O3、Lu2O3、Er2O3、MgO、Mg2Si、MgSiN2中的至少一种为辅烧结助剂的混合物；将所得的陶瓷混合粉体成型，得到陶瓷素坯；将所得的陶瓷素坯置于1600～1800℃下常压烧结，得到致密氮化硅陶瓷。
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