[发明专利]改良的热处理腔室在审
申请号: | 201710619838.2 | 申请日: | 2015-03-11 |
公开(公告)号: | CN107557759A | 公开(公告)日: | 2018-01-09 |
发明(设计)人: | 约瑟夫·M·拉内什;阿伦·缪尔·亨特 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/458;C23C16/46;C23C16/48 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金国,赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 描述于此的实施方式提供一种基板处理设备,所述基板处理设备包括真空腔室,所述真空腔室包括第一拱形结构和第二拱形结构;基板支撑件,所述基板支撑件设置于所述真空腔室内部的所述第一拱形结构和所述第二拱形结构之间;准直能量源,所述准直能量源布置于分隔壳体中且接近所述第二拱形结构放置,其中所述第二拱形结构介于所述准直能量源和所述基板支撑件之间。所述第二拱形结构的至少一部分和所述基板支撑件可对来自所述准直能量源的准直能量为光学透明的。 | ||
搜索关键词: | 改良 热处理 | ||
【主权项】:
一种基板处理设备,所述基板处理设备包括:真空腔室,所述真空腔室包括第一拱形结构和第二拱形结构;基板支撑件,所述基板支撑件设置于所述真空腔室内部的所述第一拱形结构和所述第二拱形结构之间且面对所述第一拱形结构;准直能量源,所述准直能量源接近所述真空腔室的所述第二拱形结构放置,其中所述第二拱形结构的至少一部分及所述基板支撑件对从所述准直能量源发射的准直能量为光学透明的;金属构件,所述金属构件设置于所述真空腔室的所述第二拱形结构和所述准直能量源之间,其中所述金属构件包括多个孔隙;和反射器,所述反射器用于引导来自所述准直能量源的准直能量通过所述金属构件中的所述多个孔隙。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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