[发明专利]肖特基蓝紫光探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 201710613015.9 | 申请日： | 2017-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN107564991B | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 王干;苏荫强;赵玉华;张志成;彭亮熙;陈俊树;梁家军 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/108 | 分类号： | H01L31/108;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 潘霞 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种肖特基蓝紫光探测器及其制备方法。该肖特基蓝紫光探测器包括N型砷化镓单晶衬底、硒化锌单晶层和金属层，N型砷化镓单晶衬底的一侧溶入镓后形成欧姆接触层，硒化锌单晶层和金属层依次层叠在N型砷化镓单晶衬底远离欧姆接触层的一侧上。该肖特基蓝紫光探测器具有较高的量子效率较高。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基蓝 紫光 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种蓝紫光探测器，其特征在于，包括N型砷化镓单晶衬底、硒化锌单晶层和金属层，所述N型砷化镓单晶衬底的一侧溶入镓后形成欧姆接触层，所述硒化锌单晶层和所述金属层依次层叠在所述N型砷化镓单晶衬底远离所述欧姆接触层的一侧上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南方科技大学，未经南方科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710613015.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
