[发明专利]一种适用于降压变换器的自适应分段斜坡补偿电路有效
申请号: | 201710584186.3 | 申请日: | 2017-07-18 |
公开(公告)号: | CN107134925B | 公开(公告)日: | 2018-12-11 |
发明(设计)人: | 明鑫;唐韵扬;高笛;赵佳祎;王卓;张波 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H02M3/158 | 分类号: | H02M3/158 |
代理公司: | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 葛启函 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 一种适用于降压变换器的自适应分段斜坡补偿电路,属于电子电路技术领域。通过第一开关信号clk1和第二开关信号clk2将占空比大小分为三个区间,并在三个区间内分别按照不同的斜坡斜率对降压变换器进行斜坡补偿,使斜坡补偿电路的力度既可以防止环路欠补偿后的次谐波震荡,也可以避免过补偿后使环路带载能力和响应速度变差,同时引入了降压变换器输入电压Vin的信息,从而使斜坡补偿可以自适应地随着输入电压的变化范围而调整,适用于宽输入范围的应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 适用于 降压 变换器 自适应 分段 斜坡 补偿 电路 | ||
【主权项】:
1.一种适用于降压变换器的自适应分段斜坡补偿电路,其特征在于,包括运算放大器(A0)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R0)、第四电阻(Rsense)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、第一NMOS管(M1)、第二NMOS管(M2)、第三NMOS管(M5)、第四NMOS管(M6)、第五NMOS管(M7)、第一PMOS管(M3)、第二PMOS管(M4)、第三PMOS管(M8)、第四PMOS管(M9)、第五PMOS管(M10)、第一三极管(Q1)、第二三极管(Q2)、第三三极管(Q3)、第四三极管(Q4)、第五三极管(Q5)和第六三极管(Q6),运算放大器(A0)的正向输入端作为所述斜坡补偿电路的输入端连接所述降压变换器的分压信号,其负向输入端连接第三NMOS管(M5)的源极并通过第三电阻(R0)后接地,其输出端连接第三NMOS管(M5)的栅极;第一PMOS管(M3)的栅漏短接并连接第二PMOS管(M4)和第三PMOS管(M8)的栅极以及第三NMOS管(M5)的漏极;第一三极管(Q1)的集电极连接第二PMOS管(M4)的漏极和第三三极管(Q3)的基极,其基极连接第二三极管(Q2)的基极、第三三极管(Q3)发射极和第四NMOS管(M6)的漏极;第一开关信号(clk1)连接第一NMOS管(M1)和第四NMOS管(M6)的栅极,第一NMOS管(M1)的漏极连接第一三极管(Q1)的发射极并通过第一电容(C1)后接地;第一电阻(R1)接在第二三极管(Q2)的发射极和地之间;第四PMOS管(M9)的栅漏短接并连接第五PMOS管(M10)的栅极以及第二三极管(Q2)和第五三极管(Q5)的集电极,第五PMOS管(M10)漏极通过第四电阻(Rsense)后作为所述斜坡补偿电路的输出端输出斜坡补偿电压;第二开关信号(clk2)连接第二NMOS管(M2)和第五NMOS管(M7)的栅极,第二NMOS管(M2)的漏极连接第四三极管(Q4)的发射极并通过第二电容(C2)后接地,第二电容(C2)与第一电容(C1)相等;第五NMOS管(M7)的漏极接第四三极管(Q4)和第五三极管(Q5)的基极以及第六三极管(Q6)的发射极;第二电阻(R2)接在第五三极管(Q5)的发射极和地之间,第四三极管(Q4)的集电极连接第六三极管(Q6)的基极和第三PMOS管(M8)的漏极;第一PMOS管(M3)、第二PMOS管(M4)、第三PMOS管(M8)、第四PMOS管(M9)和第五PMOS管(M10)的源极以及第三三极管(Q3)和第六三极管(Q6)的集电极接电源电压,第一NMOS管(M1)、第二NMOS管(M2)、第四NMOS管(M6)和第五NMOS管(M7)的源极接地;第一三极管(Q1)和第二三极管(Q2)匹配,第四三极管(Q4)和第五三极管(Q5)匹配。
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