[发明专利]一种基于SiC MOSFET直流固态断路器抑制关断过电压的装置

摘要

本发明涉及一种基于SiC MOSFET直流固态断路器抑制关断过电压的装置，属于直流固态断路器技术领域，该装置包含直流固态断路器，还包括电流检测系统、驱动系统、功率半导体固态开关器件、缓冲电路支路和能量吸收支路，缓冲电路支路由压敏电阻构成，用于抑制直流固态断路器关断初期的过电压；能量吸收支路也由压敏电阻构成，用于吸收直流系统寄生电感的能量。通过缓冲电路部分和能量吸收部分的合理配置，可以显著抑制SiC MOSFET直流固态断路器关断初期的过电压。本发明提供的基于SiC MOSFET直流固态断路器抑制关断过电压的装置，简单有效且能够提高直流固态断路器的可靠性。

主权项

1.一种基于SiC MOSFET直流固态断路器抑制关断过电压的装置，包含直流固态断路器，其特征在于：所述直流固态断路器还包括电流检测系统、驱动系统和功率半导体固态开关器件；所述功率半导体固态开关器件设置在主电路中用于主电路的分合，所述电流检测系统用于检测所述直流固态断路器的主电路电流，所述驱动系统接收来自电流检测系统的信号，并控制所述功率半导体固态开关器件的分合；所述电流检测系统用于检测电路是否发生故障和确定断路器关断时刻；所述驱动系统用于控制直流固态断路器正常工作和分断；所述功率半导体固态开关器件用于维持直流系统正常工作和故障时切断故障电流保证直流系统安全；所述直流固态断路器还包括缓冲电路支路和能量吸收支路，所述缓冲电路支路和能量吸收支路并联设置于所述直流固态断路器的主电路上；所述缓冲电路支路为由压敏电阻构成的缓冲电路，用于抑制所述直流固态断路器关断初期的过电压；所述能量吸收支路为由压敏电阻构成的能量吸收电路，用于吸收直流系统寄生电感的能量；所述压敏电阻构成的缓冲电路和所述压敏电阻构成的能量吸收电路按照公式：进行配置，式中，a表示压敏电阻构成的缓冲电路和压敏电阻构成的能量吸收电路的额定电压比率，U_{MOV_in}表示压敏电阻构成的缓冲电路的额定电压，U_{MOV_ex}表示压敏电阻构成的能量吸收电路的额定电压。