[发明专利]一种二硫化钼/碳复合材料及其制备方法和应用有效
申请号: | 201710550112.8 | 申请日: | 2017-07-07 |
公开(公告)号: | CN107492655B | 公开(公告)日: | 2019-12-10 |
发明(设计)人: | 张超;刘颖;刘天西;王开;伏璀玫;晁国杰;李乐;刘思良 | 申请(专利权)人: | 东华大学 |
主分类号: | H01M4/58 | 分类号: | H01M4/58;H01M4/36;H01M4/583;H01M4/62;H01G11/36;H01G11/26;H01G11/30;H01L31/0224 |
代理公司: | 31233 上海泰能知识产权代理事务所 | 代理人: | 黄志达;魏峯 |
地址: | 201620 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种二硫化钼/碳复合材料及其制备方法和应用,所述复合材料中的二硫化钼限域在中空纳米带结构的碳层内,复合材料外层为氮掺杂的碳层。本发明所述的二硫化钼/碳复合材料制备方法包括:通过水热法制备三氧化钼纳米带,低温反应在三氧化钼纳米带表面原位生长聚吡咯得到核壳结构的三氧化钼‑聚吡咯二元复合材料,再通过高温硫化制备二硫化钼/碳复合材料。本发明所制备的二硫化钼/碳复合材料可用作高性能超级电容器以及锂离子电池、太阳能电池等新型能源的理想电极材料。本发明所制备的二硫化钼/碳复合材料具有化学性质稳定、导电性好、容量高等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 二硫化钼 复合材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
1.一种二硫化钼/碳复合材料的制备方法,其特征在于:所述复合材料中的二硫化钼限域在中空纳米带结构的碳层内,复合材料外层为氮掺杂的碳层;所述复合材料的制备方法包括:/n(1)将质量比为2:1的钼酸钠与氯化钠溶解在水中,持续搅拌,用盐酸溶液调节pH值为1,在180℃下水热反应24h,将所得溶液抽滤,洗涤,然后干燥,得到三氧化钼纳米带;其中钼酸钠溶解在水中的浓度为0.02g/mL;/n(2)将三氧化钼纳米带搅拌分散在水中,加入吡咯和引发剂过硫酸铵,在0±2℃下反应12h,将所得分散液离心、洗涤并干燥,得到三氧化钼/聚吡咯二元复合材料;其中三氧化钼与吡咯的质量比为1:1~4.8,引发剂与吡咯的摩尔比为1:2;/n(3)将三氧化钼/聚吡咯二元复合材料与硫粉按照质量比1:5混合,研磨,在氮气下硫化,硫化工艺参数为:温度为800℃,保温时间4h,升温的速率为5℃/min,先用盐酸洗涤再用水洗,干燥,得到二硫化钼/碳复合材料。/n
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