[发明专利]具有基于纳米管或纳米线的平面阴极的真空电子管有效
| 申请号： | 201710545817.0 | 申请日： | 2017-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN107591299B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | J-P·马泽利耶;L·萨博 | 申请（专利权）人： | 泰勒斯公司 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J35/06 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 法国库*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有基于纳米管或纳米线的平面阴极的真空电子管。本发明涉及一种真空电子管，其包括布置在真空室(E)中的至少一个电子发射阴极(C)和至少一个阳极(A)，所述阴极具有平面结构，所述平面结构包括基底(Sb)、多个纳米管或纳米线元件以及至少一个第一连接器(CE1)，所述基底包括导电材料，所述纳米管或纳米线元件与基底电绝缘，所述纳米管或纳米线元件的纵向轴线实质上平行于基底的平面，所述第一连接器电性联接至至少一个纳米管或纳米线元件，从而能够向纳米线或纳米管元件施加第一电势(V1)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 基于 纳米 平面 阴极 真空 电子管 | ||
【主权项】：
真空电子管，其包括布置在真空室(E)中的至少一个电子发射阴极(C)和至少一个阳极(A)，所述阴极具有平面结构，所述平面结构包括基底(Sb)、多个纳米管或纳米线元件以及至少一个第一连接器(CE1)，所述基底包括导电材料，所述纳米管或纳米线元件与基底电绝缘，所述纳米管或纳米线元件的纵向轴线实质上平行于基底的平面，所述第一连接器电性联接至至少一个纳米管或纳米线元件，从而能够向纳米线或纳米管元件施加第一电势(V1)。
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