[发明专利]太赫兹无跳线倒置共面波导单片电路封装过渡结构有效
| 申请号： | 201710541114.0 | 申请日： | 2017-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN107317081B | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 张勇;陈亚培;徐锐敏;郑权;李骁;孙岩 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01P5/08 | 分类号： | H01P5/08 |
| 代理公司： | 成都虹盛汇泉专利代理有限公司 51268 | 代理人： | 王伟 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种太赫兹无跳线倒置共面波导单片电路封装过渡结构，其特征在于：包括下腔体、上腔体和共面波导电路，上腔体封盖在下腔体上形成依次连通的矩形波导腔、共面波导电路屏蔽腔和单片电路屏蔽腔，单片电路屏蔽腔内安装有单片电路，共面波导电路安装在共面波导电路屏蔽腔内，共面波导电路与单片电路相连；本发明所提供的一种太赫兹无跳线倒置共面波导单片电路封装过渡结构，能效降低芯片封装结构在太赫兹频段的损耗，提升封装新能，降低工艺复杂度和成本，结构简洁，设计制造方便。 | ||
| 搜索关键词： | 赫兹 跳线 倒置 波导 单片 电路 封装 过渡 结构 | ||
【主权项】：
一种太赫兹无跳线倒置共面波导单片电路封装过渡结构，其特征在于：包括下腔体(1)、上腔体(2)和共面波导电路(3)，上腔体(2)封盖在下腔体(1)上形成依次连通的矩形波导腔(4)、共面波导电路屏蔽腔(5)和单片电路屏蔽腔(6)；单片电路屏蔽腔(6)内安装有单片电路(61)，共面波导电路(3)安装在共面波导电路屏蔽腔(5)内，共面波导电路(3)与单片电路(61)相连；电磁信号从矩形波导腔(4)进入，经过共面波导电路(3)的处理后，从单片电路屏蔽腔(6)输出。
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