[发明专利]短波红外二极管及其形成方法

摘要

本发明提供一种短波红外二极管及其形成方法，所述短波红外二极管包括辅助成核层、缓冲层和铟镓砷PN结，所述辅助成核层设置在衬底上用于诱导结晶，所述缓冲层设置在所述辅助成核层上，所述铟镓砷PN结设置在所述缓冲成核层上。本发明提供的短波红外二极管及其形成方法，所述短波红外二极管具有辅助成核层和缓冲层，在辅助成核层的诱导结晶作用下可以适用于多种的衬底，再通过缓冲层生长出铟镓砷层，进而可形成铟镓砷PN结，由于辅助成核层以及缓冲层的作用使短波红外二极管及其形成方式可以利用多种尺寸、多种材料的衬底，相比于成本较高的InP衬底晶片，降低对衬底的要求，从而降低衬底晶片的成本，并能提高了短波红外二极管产品的应用设计的灵活性。

主权项

一种短波红外二极管，其特征在于，所述短波红外二极管包括：辅助成核层，所述辅助成核层设置在衬底上用于诱导结晶；缓冲层，所述缓冲层设置在所述辅助成核层上；铟镓砷PN结，所述铟镓砷PN结设置在所述缓冲层上。