[发明专利]一种氧化石墨烯表面原位生长二氧化硅的纳米杂化填料及其制备方法在审
| 申请号： | 201710511497.7 | 申请日： | 2017-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN107216486A | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 贾志欣;董焕焕;钟邦超;胡德超;林静;罗远芳;贾德民 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | C08K9/02 | 分类号： | C08K9/02;C08K3/04;C08K3/36;C01B33/12 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司44102 | 代理人： | 何淑珍 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化石墨烯表面原位生长二氧化硅的纳米杂化填料及其制备方法。该方法首先将氧化石墨烯超声分散到水和乙醇中，然后加入氨水和催化剂，并缓慢滴加硅源单体，在30‑80℃下搅拌反应2‑8小时，经洗涤、干燥，得到二氧化硅粒子均匀生长在氧化石墨烯表面的纳米杂化填料。该纳米杂化填料表面是由二氧化硅粒子形成的纳米突起，既能阻止氧化石墨烯片层间的堆叠，又能提高杂化填料的比表面积，有望显著改善杂化填料在聚合物基体中的分散状态和聚合物‑杂化填料之间的界面作用。因此，本发明在功能化填料和高性能复合材料的制备领域均具有潜在的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 石墨 表面 原位 生长 二氧化硅 纳米 填料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化石墨烯表面原位生长二氧化硅的纳米杂化填料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）将氧化石墨烯加入水中超声分散，再加入乙醇，得氧化石墨烯分散液；（2）向步骤（1）所得氧化石墨烯分散液中加入氨水和催化剂，再超声分散，得混合液；（3）在30‑80℃下，向步骤（2）所得混合液中滴加硅源单体，搅拌反应；（4）将步骤（3）所得产物洗涤、烘干，得到氧化石墨烯表面原位生长二氧化硅的纳米杂化填料。
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