[发明专利]一种CdS纳米棒的制备方法在审

专利信息
申请号: 201710498719.6 申请日: 2017-06-27
公开(公告)号: CN109133156A 公开(公告)日: 2019-01-04
发明(设计)人: 黄敏艳 申请(专利权)人: 海门市品格工业设计有限公司
主分类号: C01G11/02 分类号: C01G11/02;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 226100 江苏省南*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种CdS纳米棒的制备方法,所述制备方法包括以下步骤:S1、将醋酸镉与三辛基膦混合,在氮气气氛下搅拌加热,然后在混合液中注入硫溶液进行反应;S2、将反应后的溶液冷却至室温,加入无水甲醇,使CdS纳米棒沉降,并用无水乙醇洗涤CdS纳米棒;S3、将CdS纳米棒薄膜采用CdCl2进行湿法处理。本发明对CdS纳米棒薄膜进行CdCl2湿法处理,提高了薄膜的结晶度,降低了缺陷态密度,大大提高了短路电流密度,可以提高电池寿命。
搜索关键词: 纳米棒 制备 薄膜 湿法处理 无水乙醇洗涤 缺陷态密度 电池寿命 搅拌加热 溶液冷却 三辛基膦 无水甲醇 醋酸镉 混合液 结晶度 硫溶液 沉降 短路 并用
【主权项】:
1.一种CdS纳米棒的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:S1、将醋酸镉与三辛基膦混合,在氮气气氛下搅拌加热,然后在混合液中注入硫溶液进行反应;S2、将反应后的溶液冷却至室温,加入无水甲醇,使CdS纳米棒沉降,并用无水乙醇洗涤CdS纳米棒;S3、将CdS纳米棒薄膜采用CdCl2进行湿法处理。
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