[发明专利]CdS纳米棒薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201710498718.1 | 申请日： | 2017-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN109133155A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 黄敏艳 | 申请（专利权）人： | 海门市品格工业设计有限公司 |
| 主分类号： | C01G11/02 | 分类号： | C01G11/02;H01L31/0296 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 226100 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种CdS纳米棒薄膜的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：S1、将二乙基二硫代氨基甲酸钠和CdCl2·2.5H2O反应制得二乙基二硫代氨基甲酸镉；S2、将二乙基二硫代氨基甲酸镉中加入溶剂进行溶剂热反应得到CdS纳米棒薄膜；S3、将CdS纳米棒薄膜采用CdCl2进行湿法处理。本发明对CdS纳米棒薄膜进行CdCl2湿法处理，提高了薄膜的结晶度，降低了缺陷态密度，大大提高了短路电流密度，可以提高电池寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 纳米棒 制备 二乙基二硫代氨基甲酸 湿法处理 二乙基二硫代氨基甲酸钠 缺陷态密度 溶剂热反应 电池寿命 结晶度 短路 溶剂 | ||
【主权项】：
1.一种CdS纳米棒薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：S1、将二乙基二硫代氨基甲酸钠和CdCl2·2.5H2O反应制得二乙基二硫代氨基甲酸镉；S2、将二乙基二硫代氨基甲酸镉中加入溶剂进行溶剂热反应得到CdS纳米棒薄膜；S3、将CdS纳米棒薄膜采用CdCl2进行湿法处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海门市品格工业设计有限公司，未经海门市品格工业设计有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710498718.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
