[发明专利]适用于双端SAR-ADC的DAC电容阵列及对应开关切换方法

摘要

本发明公开了一种适用于双端SAR‑ADC的DAC电容阵列及对应的开关切换方法，该电容阵列包括比较器和电容阵列，比较器的输入端P端和N端分别连接正输入Vip和负输入Vin，从正、负输入分别至P、N端依次设有第一最高位电容C1‑1、第二最高位电容C1‑2和非二进制电容阵列；所有电容的上极板均接到输入电平，第一最高位电容和第二最高位电容的下极板接GND，其余电容的下极板均接参考电平Vref。该电容阵列将最高位电容拆分为两部分，一部分作为新的最高位电容，一部分与原本的二进制电容阵列结合，形成非二进制电容阵列；对应的开关切换方法通过重复动作已经切换的电容，防止比较器的共模持续下降。

主权项

一种适用于双端SAR‑ADC的DAC电容阵列，其特征在于：包括比较器、最高位电容C1及非二进制电容阵列；所述最高位电容C1包括第一最高位电容C1‑1和第二最高位电容C1‑2，所述非二进制电容阵列包括次高位电容C2、第三位电容C3、第四位电容C4与低位电容阵列；所述非二进制电容阵列中每位电容大小为2i或多个2i之和，i为自然数；且，最高位电容C1大于次高位电容C2；所述第一最高位电容C1‑1的大小权重与次高位电容C2的大小权重相等，第二最高位电容C1‑2的大小权重与第三位电容C3的大小权重相等；所述比较器包括正输入端P端和负输入端N端，P端通过采样开关连接至正输入Vip，N端通过采样开关连接至负输入Vin；沿正输入Vip至P端和负输入Vin至N端，均依次设有第一最高位电容C1‑1、第二最高位电容C1‑2和非二进制电容阵列；其中，所有电容的上极板均连接至输入电平，第一最高位电容C1‑1和第二最高位电容C1‑2的下极板接GND，非二进制电容阵列的下极板均接参考电平Vref。