[发明专利]一种铁基非晶纳米晶薄带磁体及其制备和应用方法有效

专利信息
申请号: 201710450328.7 申请日: 2017-06-15
公开(公告)号: CN107245672B 公开(公告)日: 2018-10-02
发明(设计)人: 孙继兵;肖阳;杜帅龙;张伟;张磊;朱安;王虹 申请(专利权)人: 天津中晟泰新能源科技有限公司
主分类号: C22C45/02 分类号: C22C45/02;H01F1/047;H01F3/02
代理公司: 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙) 12210 代理人: 胡安朋
地址: 300401 天*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明一种铁基非晶纳米晶薄带磁体及其制备和应用方法,涉及铁作主要成分的非晶态合金,该一种铁基非晶纳米晶薄带磁体是Finemet型非晶纳米晶薄带磁体;其制备方法是在主合金A熔炼时添加相同成分的非晶纳米晶薄带F,相当于熔炼时在母合金中添加了一种非晶纳米晶孕育剂,以通过细化母合金铸锭组织来减小对应非晶薄带晶化后的纳米晶尺寸,从而进一步降低薄带磁体矫顽力、增大初始磁导率和饱和磁感应强度以及维持较小的铁损值;该一种铁基非晶纳米晶薄带磁体被用于制备铁基非晶纳米晶软磁合金铁芯产品。本发明克服了现有类似产品存在的磁性能仍较低,生产成本高和很难在生产中进行批量生产的缺陷。
搜索关键词: 一种 铁基非晶 纳米 晶薄带 磁体 及其 制备 应用 方法
【主权项】:
1.一种铁基非晶纳米晶薄带磁体,其特征在于:是Finemet型非晶纳米晶薄带磁体,其质量百分比组成表达式为AxFy,式中,A组分是原子百分比组成为FeaCubMcSidBe的主合金A,其中M为Nb、V和Mo元素中的至少一种元素,a、b、c、d和e表示元素组成的原子百分数,其中70.0≤a≤76.0,1.0≤b≤1.5,3.0≤c≤3.5,11.0≤d≤14.0,7.5≤e≤11.5,且满足a+b+c+d+e=100;F组分是非晶纳米晶薄带,其组成成分与A组分相同,其中所含晶态相的质量分数范围为5.0~90.0%;A组分的组成质量百分比x的限定范围为70≤x≤90,F组分的组成质量百分比y的限定范围为10≤y≤30。
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