[发明专利]基于硅基光电探测器的硬X射线探测器在审
申请号: | 201710427516.8 | 申请日: | 2017-06-08 |
公开(公告)号: | CN107247285A | 公开(公告)日: | 2017-10-13 |
发明(设计)人: | 汪朝敏;王小东;郭培 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
主分类号: | G01T1/24 | 分类号: | G01T1/24 |
代理公司: | 重庆辉腾律师事务所50215 | 代理人: | 侯懋琪,侯春乐 |
地址: | 400060 重庆*** | 国省代码: | 重庆;85 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种基于硅基光电探测器的硬X射线探测器,其创新在于所述硬X射线探测器包括硅片及形成在硅片上的硅光电探测器;所述硅片的周向面上设置有一平面,所述平面与硅片轴向平行,所述硅光电探测器的光敏面形成在所述平面上,硅光电探测器的轴向与所述平面垂直,硅片的径向尺寸远大于轴向尺寸。本发明的有益技术效果是提供了一种基于硅基光电探测器的硬X射线探测器,该方案可有效提高硅基光电探测器对硬X射线的探测效率,使硅基光电探测器能够直接对硬X射线进行成像,避免了现有技术中存在的光子转换效率问题,可有效降低X射线医疗成像时人体所受到的幅照剂量。 | ||
搜索关键词: | 基于 光电 探测器 射线 | ||
【主权项】:
一种基于硅基光电探测器的硬X射线探测器,其特征在于:所述硬X射线探测器包括硅片及形成在硅片上的硅光电探测器;所述硅片的周向面上设置有一平面,所述平面与硅片轴向平行,所述硅光电探测器的光敏面形成在所述平面上,硅光电探测器的轴向与所述平面垂直,硅片的径向尺寸远大于轴向尺寸。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第四十四研究所,未经中国电子科技集团公司第四十四研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710427516.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种用于公交与用户位置匹配的匹配方法
- 下一篇:一种快中子能谱测量系统及方法