[发明专利]一种直波导型电光相位调制器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201710414043.8 申请日: 2017-06-05
公开(公告)号: CN107219646B 公开(公告)日: 2019-07-23
发明(设计)人: 徐卓;赵烨;符小湉;庄永勇;魏晓勇;王三红;陈兵;李振荣 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: G02F1/03 分类号: G02F1/03
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 齐书田
地址: 710049 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种直波导型电光相位调制器及其制备方法,电光调制器具有平板电容型结构,包括相当于介质层的单晶与单晶上下表面的电极层。单晶为二元(1‑x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3‑xPbTiO3体系或三元(1‑x‑y)Pb(In1/2Nb1/2)O3‑xPb(Mg1/3Nb2/3)O3‑yPbTiO3体系。直波导型电光相位调制器是利用铁电体的畴转向和双折射率之差,通过加在共面电极上的预制电场诱发畴转向,在局部区间产生了高达3%的折射率变化,有效构造了一种结构简单,易于加工制造的光波导结构。本发明具有极低的半波电压、低的插入损耗、高的带宽和优异的相位调制能力。将铁电性和强光学非线性结合,可设计多种光信息转换器件,实现光子偏振态的有效控制,微弱信号的检测以及相控阵信号的生成与控制,适用于量子保密通信技术及微波光子学雷达技术领域。
搜索关键词: 一种 性能 波导 电光 相位 调制器 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种直波导型电光相位调制器,其特征在于,包括作为介质层的长方体单晶,单晶的上表面设置有上电极层,单晶的下表面设置有下电极层,所述下电极层完整覆盖在单晶的下表面,上电极层覆盖在单晶的上表面,且上电极层通过空白狭缝分割为对称的两部分;所述单晶为二元(1‑x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3‑xPbTiO3体系弛豫铁电单晶或三元(1‑x‑y)Pb(In1/2Nb1/2)O3‑xPb(Mg1/3Nb2/3)O3‑yPbTiO3体系弛豫铁电单晶。
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