[发明专利]一种屏蔽极低频磁场的矩形截面金属屏蔽槽设计方法有效

专利信息
申请号: 201710333859.8 申请日: 2017-05-12
公开(公告)号: CN107148206B 公开(公告)日: 2019-05-14
发明(设计)人: 许侃;戴晓敏 申请(专利权)人: 国网上海市电力公司;上海高试电气科技有限公司
主分类号: H05K9/00 分类号: H05K9/00
代理公司: 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 代理人: 翁惠瑜
地址: 200002 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种屏蔽极低频磁场的矩形截面金属屏蔽槽设计方法,其特征在于,该方法将矩形截面金属屏蔽槽等效为同材料且边长等于所述矩形宽度的正方形截面金属屏蔽槽,通过对所述正方形截面金属屏蔽槽的分析获取符合设定极低频磁场屏蔽率的矩形截面金属屏蔽槽的材料与尺寸,所述矩形宽度为屏蔽槽横截面平行于磁场源布置方向的边的边长。与现有技术相比,本发明具有提高矩形截面屏蔽槽设计效率等优点,并可使矩形截面金属屏蔽槽的实际屏蔽率和设计屏蔽率之间的偏差可以达到5%以内。
搜索关键词: 一种 屏蔽 低频 磁场 矩形 截面 金属 设计 方法
【主权项】:
1.一种屏蔽极低频磁场的矩形截面金属屏蔽槽设计方法,其特征在于,该方法将矩形截面金属屏蔽槽等效为同材料且边长等于所述矩形宽度的正方形截面金属屏蔽槽,通过对所述正方形截面金属屏蔽槽的分析获取符合设定极低频磁场屏蔽率的矩形截面金属屏蔽槽的材料与尺寸,所述矩形宽度为屏蔽槽横截面平行于磁场源布置方向的边的边长,该方法包括以下步骤:A)获取设定极低频磁场屏蔽率St;B)根据被屏蔽极低频磁场源的布置状态及强度绝缘要求初始化矩形截面金属屏蔽槽的材料和尺寸,所述尺寸包括矩形宽度、矩形高度和金属屏蔽槽厚度;C)将步骤B)获得的矩形截面金属屏蔽槽等效为同材料且边长等于所述矩形宽度的正方形截面金属屏蔽槽,该正方形截面金属屏蔽槽的厚度与所述金属屏蔽槽厚度相同;D)将步骤C)获得的正方形截面金属屏蔽槽等效为同材料等周长的圆截面金属屏蔽管;E)计算所述圆截面金属屏蔽管的极低频磁场屏蔽率S’,以该极低频磁场屏蔽率S’作为所述正方形截面金属屏蔽槽的极低频磁场等效屏蔽率S;F)判断所述极低频磁场等效屏蔽率S是否满足S≤St,若是,则保存当前的材料和尺寸,执行步骤G),若否,则改变正方形截面金属屏蔽槽的材料和尺寸后,返回步骤D);G)以获得的正方形截面金属屏蔽槽的边长W1和厚度t1作为矩形截面金属屏蔽槽的矩形宽度和金属屏蔽槽厚度,设计完成。
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