[发明专利]具有源极在下配置的晶体管管芯和漏极在下配置的晶体管管芯的半导体封装在审
| 申请号： | 201710325396.0 | 申请日： | 2017-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN107275316A | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | D·阿勒斯;M·丁克尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/50 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 黄涛,杜荔南 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体封装包括衬底、固定到衬底的第一晶体管管芯和固定到衬底的第二晶体管管芯。第一晶体管管芯具有源极端子，位于第一晶体管管芯的面向衬底的底侧处；以及漏极端子和栅极端子，位于第一晶体管管芯的背离衬底的顶侧处。第二晶体管管芯具有漏极端子，位于第二晶体管管芯的面向衬底的底侧处；以及源极端子和栅极端子，位于第二晶体管管芯的背离衬底的顶侧处。所述封装还包括在第一晶体管管芯的漏极端子和第二晶体管管芯的源极端子之间的公共电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 有源 在下 配置 晶体管 管芯 半导体 封装 | ||
【主权项】：
一种半导体封装，包括：衬底；固定到衬底的第一晶体管管芯，第一晶体管管芯具有：源极端子，位于第一晶体管管芯的面向衬底的底侧处；以及漏极端子和栅极端子，位于第一晶体管管芯的背离衬底的顶侧处；固定到衬底的第二晶体管管芯，第二晶体管管芯具有：漏极端子，位于第二晶体管管芯的面向衬底的底侧处；以及源极端子和栅极端子，位于第二晶体管管芯的背离衬底的顶侧处；以及公共电连接，位于第一晶体管管芯的漏极端子和第二晶体管管芯的源极端子之间。
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