[发明专利]一种厘米级长度的金纳米线阵列的制备方法

摘要

本发明涉及金属纳米材料制备技术领域，具体涉及一种厘米级长度的金纳米线的制备方法。该制备方法具体包括用高纯度的金材料作为阴极和阳极，同时选择能够传导金离子的快离子材料Rb4Cu16Cl13I7作为金属离子传输媒介在阴极和阳极之间传输金离子。在外加不同大小的直流电场作用下，通过快离子导体的传质作用，最终得到金纳米线阵列。本方法制备装置简单，制备过程易于操控，不需要苛刻的制备条件，在全固态条件下进行，仅借助外加电场，无需任何模板，就可以制得宏观面积的金纳米材料。

主权项

一种厘米级长度的金纳米线阵列的制备方法，其特征在于：具体合成步骤如下：（1）选取清洁的矩形石英玻璃片作为基底，另取石英玻璃片作为盖片，盖片叠置于基底表面，遮挡住基底中间4‑6 cm的宽度，基底两侧的电极的宽度分别为1cm和4cm；（2）将两者固定并安放在蒸镀工作台上，按照电极面积的0.012g/cm2称取纯度为99.5%的铜粉放置于高真空电阻蒸发镀膜机的钼舟上，在真空度≤10‑3Pa条件下，利用真空蒸镀法在基底两端的表面上沉积两片彼此平行的金膜作为电极，电极间距为4‑6cm；（3）按照基底面积的0.006 g/cm2，称取快离子导体Rb4Cu16Cl13I7原料放置于高真空电阻蒸发镀膜机的钼舟上，在真空度≤10‑3Pa条件下，利用真空蒸镀法在基底表面上沉积厚度为400nm的快离子导体Rb4Cu16Cl13I7薄膜，使其覆盖整片基底，所述快离子导体薄膜材料由RbI（分析纯，含量≥99.0%）、 CuCl（分析纯，含量≥97.0%）和CuI（分析纯，含量≥99.0%）按 4:13:3的摩尔比例研磨4‑5h混合均匀制成；（4）外加直流电，电流强度为3~5uA，时间48h‑72h，形成金纳米结构。