[发明专利]一种槟榔芋覆膜栽培方法

摘要

本发明涉及一种槟榔芋覆膜栽培方法，包括以下步骤：1）整地养肥；2）播种覆膜催芽；3）再覆膜保生。本发明采用催芽覆膜保温保湿，促进发芽；采用双膜及专门保温层的保生方式，为球茎的生长创造最佳的温度和湿度环境。经测定，通过本方法覆膜方式种植，催芽期的地表温度可以持续、稳定的维持在15℃左右；生长期温度可以持续、稳定的维持在20℃以上，为槟榔芋的高产和高品质提供了有效保障。同时配制专用的底肥，采用整地时施足底肥，保温层做肥源补充，不仅满足了槟榔芋全生育期的营养需求，还减少了种植工作量，降低了人力成本和肥料成本，增加了种植者的经济效益。

主权项

1.一种槟榔芋覆膜栽培方法，其特征在于包括以下步骤：1）整地养肥：选择土层深厚、肥沃疏松、排灌方便、微酸性的水质土壤作为栽培地；施足基肥后深耕入土，养肥2‑3天，养肥期内采用喷淋的方式始终保持土壤湿润；养肥期结束后，起垄作畦、开布种穴，株距50‑60cm；2）播种覆膜催芽：选择母芋呈纺缍形，叶柄着生节间较密，芋头剖切面具有明显的槟榔花纹，母芋、子芋的着生距离较近的作种芋，植于开好的布种穴内，浇水使畦块全部湿润，然后覆膜催芽；3）再覆膜保生：待芋芽全部自然破膜和人工破膜后，在催芽覆膜上覆盖一层1‑2cm的保温层后，再覆盖一层地膜，并在芋芽长出位置人工破洞预留足够的生长位置；然后浇足水，以后不定期检查畦块，及时补水。