[发明专利]超宽可调谐振器有效
| 申请号： | 201710302990.8 | 申请日： | 2017-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN107171047B | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 张继华;郑懿;陈宏伟;吴开拓 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01P7/06 | 分类号： | H01P7/06 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610000 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 超宽可调谐振器，涉及微波器件，本发明包括自上向下顺次设置的低阻硅电极、SOI执行器和金属化消逝模腔体部分，SOI执行器包括高阻硅底板和高阻硅环，高阻硅环的底面与高阻硅底板通过埋氧层隔离，高阻硅环的顶面通过绝缘材料层与低阻硅电极连接，在高阻硅底板的底面设置有第一金层；金属化消逝模腔体部分包括消逝模腔和刻蚀保留在消逝模腔中的谐振杆，消逝模腔的内表面和谐振杆的顶面覆盖有第二金层，在谐振杆的顶部的金层上方还设置有第一介质材料层，在消逝模腔内填充有介质材料。本发明实现了频率可调，而且低功耗、驱动快，没有迟滞效应，线性度好、精度与可靠性高。 | ||
| 搜索关键词： | 可调 谐振器 | ||
【主权项】：
1.超宽可调谐振器，其特征在于，包括自上向下顺次设置的低阻硅电极(1)、SOI执行器和金属化消逝模腔体部分，SOI执行器包括高阻硅底板(23)和高阻硅环(21)，高阻硅环(21)的底面与高阻硅底板(23)通过埋氧层(22)隔离，高阻硅环(21)的顶面通过绝缘材料层(10)与低阻硅电极(1)连接，在高阻硅底板(23)的底面溅射有第一金层(24)；金属化消逝模腔体部分包括消逝模腔(32)和消逝模腔(32)中的谐振杆(31)，消逝模腔(32)的内表面和谐振杆(31)的顶面覆盖有第二金层(33)，在谐振杆(31)的顶部的金层上方还设置有第一介质材料层(34)，在消逝模腔(32)内填充有介质材料(35)；低阻硅电极(1)和第一金层(24)之间设置电压，实现第一金层(24)的形变，来改变第一金层(24)与谐振杆(31)之间的间隙。
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