[发明专利]显示装置有效
| 申请号： | 201710267224.2 | 申请日： | 2017-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN107346083B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 山口阳平;铃村功;三宅秀和 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本显示器 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;焦成美 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及显示装置。本发明的技术课题为可以在同一基板内形成LTPS TFT和TAOS TFT。其为包含具有形成有像素的显示区域的基板的显示装置，其特征在于，所述像素包含使用了TAOS的第一TFT，在所述第一TFT的漏极上形成有第一LTPS(112)，在所述第一TFT的源极上形成有第二LTPS(113)，所述第一LTPS(112)经由在覆盖所述第一TFT的绝缘膜(105)中形成的第一通孔(108)而与第一电极(106)连接，所述第二LTPS(113)经由在覆盖所述第二TFT的绝缘膜中形成的第二通孔(108)而与第二电极(107)连接。 | ||
| 搜索关键词： | 显示装置 | ||
【主权项】：
一种显示装置，其包含具有显示区域的基板，所述显示区域中形成有像素，所述显示装置的特征在于，所述像素包含使用了氧化物半导体的第一TFT，在所述第一TFT的漏极上形成有第一多晶硅，在所述第一TFT的源极上形成有第二多晶硅，所述第一多晶硅经由在覆盖所述第一TFT的绝缘膜中形成的第一通孔而与第一电极连接，所述第二多晶硅经由在覆盖所述第一TFT的绝缘膜中形成的第二通孔而与第二电极连接。
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