[发明专利]一种双面发电的太阳能电池有效
申请号: | 201710260851.3 | 申请日: | 2017-04-20 |
公开(公告)号: | CN107170848B | 公开(公告)日: | 2019-07-12 |
发明(设计)人: | 吴波;秦崇德;方结彬;何达能;陈刚 | 申请(专利权)人: | 广东爱康太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/068;H01L31/0687;H01L21/683 |
代理公司: | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人: | 孔凡亮 |
地址: | 528100 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种双面发电的太阳能电池,包括GaInP子电池、隧道结、GaAs子电池、键合层、单晶硅N型电池,通过MOCVD生长GaAs子电池和GaInP子电池,两者通过隧道结连接,将薄膜电池键合到单晶硅N型电池背面,然后剥离GaAs子电池和GaInP子电池薄膜。本发明利用GaAs子电池和GaInP子电池组成的叠层电池在直射光下发电效率高、单晶硅在弱光下发电效率高的优点,感光面发电,不感光的电池可视为一个反向PN结,受光面产生的电流只能从键合层流出(薄膜电池和单晶硅电池的面积不一样大,键合层裸露),通过改变电池的吸光面,在有限面积上可以充分利用太阳光,从而大大提升单位面积太阳能电池的转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 双面 发电 太阳能电池 | ||
【主权项】:
1.一种双面发电的太阳能电池,其特征在于,该太阳能电池包括单晶硅N型电池(5)、键合层(4)和GaInP/GaAs双结叠层电池,所述GaInP/GaAs双结叠层电池通过键合层(4)键合在单晶硅N型电池(5)的背面;所述GaInP/GaAs双结叠层电池包括GaInP子电池(1)、隧道结(2)和GaAs子电池(3),所述隧道结(2)位于GaInP子电池(1)的一侧,所述GaAs子电池(3)位于隧道结(2)和键合层(4)之间;所述键合层(4)包括设置在GaAs子电池(3)下方的上层Au(6)、及设置在单晶硅N型电池(5)上方的下层Au(7),所述上层Au(6)与下层Au(7)配合形成Au/Au键合;采用GaAs或Ge作为支撑衬底,通过MOCVD或MBE生长与GaAs晶格匹配的GaInP/GaAs双结叠层电池,键合到单晶硅N型电池(5)上,然后剥离生长的GaInP/GaAs双结叠层电池,即得所需太阳能电池,当光照在受光面时,不受光面形成反向的PN结,受光面产生的电流从键合层(4)流出。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东爱康太阳能科技有限公司,未经广东爱康太阳能科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710260851.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的