[发明专利]ZnPc/PbPc共混蒸镀薄膜二极管的制备与工作特性在审
申请号: | 201710251562.7 | 申请日: | 2017-04-18 |
公开(公告)号: | CN107039603A | 公开(公告)日: | 2017-08-11 |
发明(设计)人: | 王东兴;赵双;杨美中 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨理工大学 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/50;H01L51/54 |
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地址: | 150080 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | ZnPc/ PbPc共混蒸镀薄膜二极管的制备与工作特性。近年来,单一的有机材料蒸镀有机薄膜晶体管被广泛的制作和研究。本发明是两种有机材料进行共混蒸镀制作的有机薄膜二极管,这两种有机材料分别为酞菁锌和酞菁铅(ZnPc和PbPc)。ZnPc/ PbPc共混蒸镀薄膜二极管的组成包括底衬底(1),ITO薄膜电极作为二极管的阳极(2),蒸镀的ZnPc和 PbPc的共混薄膜作为有源层(3),Al薄膜电极作为阴极(4),并且ZnPc和PbPc有3种不同的混合质量比,分别为11、45和54。本发明具有更高地电流密度和更宽地光感应波长带域,可以应用于光传感器的单元、光电传感器阵列器件等广阔的领域。 | ||
搜索关键词: | znpc pbpc 共混蒸镀 薄膜 二极管 制备 工作 特性 | ||
【主权项】:
一种ZnPc/ PbPc共混蒸镀薄膜二极管的制备方法,其特征是:首先在干净的玻璃基板上利用磁控溅射形成ITO电极作为二极管的阳极,然后利用真空蒸镀的方法形成酞菁锌和酞菁铅的共混薄膜,最后利用磁控溅射形成铝电极作为阴极,成品中有机薄膜的厚度为120‑130nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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