[发明专利]高增益和宽频带混合型等离子激元光学漏波阵列天线有效
申请号: | 201710236006.2 | 申请日: | 2017-04-12 |
公开(公告)号: | CN107065045B | 公开(公告)日: | 2020-03-24 |
发明(设计)人: | 钟东洲;刘程鹏 | 申请(专利权)人: | 五邑大学 |
主分类号: | G02B5/00 | 分类号: | G02B5/00;G02B27/00 |
代理公司: | 北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385 | 代理人: | 董芙蓉 |
地址: | 529020 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及一种纳米光电子设备,具体为高增益和宽频带混合型等离子激元光学漏波阵列天线。高增益和宽频带混合型等离子激元光学漏波阵列天线,其结构特征为:包括主体材料,所述的主体材料为四层结构,从上到下依次为第一硅层、金属层、第二硅层、二氧化硅层;所述的金属层中有二行锥形椭球孔阵列,所述的锥形椭球孔阵列由长方体和椭球体的差集而形成的。本发明提供的高增益和宽频带混合型等离子激元光学漏波阵列天线,可以得到更高的增益和带宽,更低的旁瓣电平值。 | ||
搜索关键词: | 增益 宽频 混合 等离子 光学 阵列 天线 | ||
【主权项】:
暂无信息
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