[发明专利]用于铜基金属膜的蚀刻液组合物和利用其制造液晶显示装置用阵列基板的方法有效
| 申请号： | 201710205825.0 | 申请日： | 2017-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN107447215B | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 崔汉永;林大成;金相泰;朴英哲;李根洙;崔容硕 | 申请（专利权）人： | 东友精细化工有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/18 | 分类号： | C23F1/18;G02F1/1333 |
| 代理公司： | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人： | 唐雯 |
| 地址： | 韩国全*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于铜基金属膜的蚀刻液组合物和制造包含其的液晶显示装置用阵列基板的方法，更详细地，涉及包含路易斯酸的用于铜基金属膜的蚀刻液组合物和制造包含其的液晶显示装置用阵列基板的方法，该用于铜基金属膜蚀刻液组合物通过包含路易斯酸，能够降低用于铜基金属膜的蚀刻液组合物内的环状胺化合物的蚀刻抑制性能，从而使得随着蚀刻反应的进行而出现的蚀刻抑制剂性能变化最小化。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 基金 蚀刻 组合 利用 制造 液晶 显示装置 阵列 方法 | ||
【主权项】：
一种用于铜基金属膜的蚀刻液组合物，所述蚀刻液组合物包含路易斯酸。
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- 本发明涉及蚀刻液的技术领域，具体公开了一种铜蚀刻液组合物及其制备方法。铜蚀刻液组合物包括如下重量份的原料：无机酸12‑26份、微胶囊氧化剂15‑30份、水58‑84份、表面活性剂0.3‑0.7份；在集成电路制造过程中，微胶囊氧化剂在0.2‑0.3MPa的压力下壁材破裂，过氧化铜释放，过氧化铜与无机酸共同腐蚀集成电路板上的铜材料，加快蚀刻速率；而壁材破裂所得物质填充于铜材料表面的凹坑中，有利于提高铜材料的表面平整度，同时破裂壁材和表面活性剂可以在铜材料侧面形成较为稳定的薄膜，从而起到较好的防侧蚀作用，侧蚀量显著降低；解决了蚀刻速率和侧蚀量难以兼顾的问题，所得产品质量明显提高。
- 一种CVD石墨烯生长衬底铜箔酸性刻蚀液-201811383246.6
- 茅丹;张洪涛;刘海滨;张娟娟;谭化兵;季恒星 - 无锡格菲电子薄膜科技有限公司
- 2018-11-20 - 2023-06-16 - C23F1/18
- 本发明提供一种CVD石墨烯生长衬底铜箔酸性刻蚀液，包括：过氧化氢、无机酸、表面活性剂、螯合掺杂剂。过氧化氢和无机酸共同作用刻蚀铜箔，螯合掺杂剂与铜离子作用形成络合物并溶于水中，表面活性剂将异物、杂质去除。所述酸性刻蚀液还包括刻蚀稳定剂，刻蚀稳定剂能有效抑制过氧化氢的过快分解。所述刻蚀液能在短时间内将铜箔进行刻蚀，得到方阻均匀性较好的石墨烯。
- 一种集成电路用铜钛腐蚀液及其生产工艺-202110646431.5
- 戈烨铭;何珂;汤晓春 - 江阴润玛电子材料股份有限公司
- 2021-06-10 - 2023-06-13 - C23F1/18
- 本发明公开了一种集成电路用铜钛腐蚀液，属于微电子化学试剂技术领域，包括以下质量百分比的原料：硫酸10‑19％、硝酸5‑8％、乙酸28‑33％、过硫酸钾2‑5％、双氧水2‑4％、吸附剂0.05‑0.1％，余量为纯水；本发明还公开了该腐蚀液的生产工艺；本发明的腐蚀液对铜钛复合金属层腐蚀均匀、性能稳定，由于吸附剂的加入，可以净化腐蚀液，减少腐蚀废液的产生，增加腐蚀液的使用寿命，且该腐蚀液不含氟，不会腐蚀硅材基材、氮化硅与非结晶硅，同时兼顾产品良率、安全与环保，并降低重工后发生缺陷的风险，可在制备集成电路行业、平面显示器、彩色滤光片、触控式面板、有机发光二极管等领域中广泛应用。
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