[发明专利]全合成高光切削液及其制备方法在审
| 申请号： | 201710187625.7 | 申请日： | 2017-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN107011979A | 公开（公告）日： | 2017-08-04 |
| 发明（设计）人： | 张茂琳 | 申请（专利权）人： | 北京华懋伟业精密电子有限公司 |
| 主分类号： | C10M173/02 | 分类号： | C10M173/02;C10N40/22;C10N40/24;C10N30/12;C10N30/06;C10N30/04;C10N30/16 |
| 代理公司： | 广州市南锋专利事务所有限公司44228 | 代理人： | 罗晓聪 |
| 地址： | 101399 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种全合成高光切削液及其制备方法，本发明全合成高光切削液的配方成分按重量比为硼酸酯15‑20％；苯丙三唑1‑1.5％；异丙醇2‑4％；三乙醇胺4‑5％；甘油4‑5％；季铵盐沉降剂0.1‑1％；IPBC 1‑2％；消泡剂0.1‑0.8％；水65‑70％。全合成高光切削液的制备方法包括以下步骤a、将硼酸酯18％、苯丙三唑1.5％、三乙醇胺4％依次加入反应釜，并将反应釜升温到90摄氏度，该反应釜的转速1000rpm，并搅拌15分钟；b、停止加温，并待反应釜冷却到常温，再依次加入异丙醇3％、甘油5％，并搅拌20分钟，并在搅拌的同时加入65.5％的水；c、最后加入季铵盐沉降剂0.5％、IPBC2％、消泡剂0.5％，混合均匀无沉淀即可。 | ||
| 搜索关键词： | 合成 切削 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
全合成高光切削液，其特征在于：该全合成高光切削液配方成分按重量比为：
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