[发明专利]用于保护集成电路免于静电放电的结构有效

专利信息
申请号: 201710179666.1 申请日: 2017-03-23
公开(公告)号: CN107658291B 公开(公告)日: 2022-03-29
发明(设计)人: F·塔耶特 申请(专利权)人: 意法半导体(鲁塞)公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L23/60
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;董典红
地址: 法国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本申请涉及用于保护集成电路免于静电放电的结构。一种集成电路包括至少一个输入输出焊盘以及旨在连接至参考电势源的端子,并且进一步包括保护结构,该保护结构包括前向连接在该焊盘与该端子之间的晶闸管。该晶闸管包括在其阴极栅极与该端子之间的第一电阻器。至少一个齐纳二极管被布置在该晶闸管与该焊盘之间。该齐纳二极管的阳极连接至该晶闸管的该阴极栅极,并且该齐纳二极管的阴极经由至少一个第二电阻器连接至该焊盘。该齐纳二极管的结不同于该晶闸管的PNPN结构的结。
搜索关键词: 用于 保护 集成电路 免于 静电 放电 结构
【主权项】:
一种半导体设备,包括:输入输出焊盘;端子,所述端子被适配成连接至参考电势源;晶闸管,所述晶闸管前向连接在所述焊盘与所述端子之间,所述晶闸管包括PNPN结构、阳极栅极、阴极栅极、以及在所述阴极栅极与所述端子之间的第一电阻器;以及齐纳二极管,所述齐纳二极管耦合在所述晶闸管与所述焊盘之间,所述齐纳二极管具有耦合至所述晶闸管的所述阴极栅极的阳极以及经由第二电阻器耦合至所述焊盘的阴极,所述齐纳二极管具有与所述晶闸管的所述PNPN结构的结不同的结。
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