[发明专利]半导体器件的制造方法及衬底处理装置

摘要

本发明涉及半导体器件的制造方法及衬底处理装置。即便对于三维结构的闪存而言，也能形成特性良好的半导体器件。包括：将衬底搬入的工序，衬底具有：层叠膜，层叠膜具有绝缘膜和牺牲膜；在层叠膜中形成的沟道孔穴；在沟道孔穴内的表面上设置的电荷俘获膜；在电荷俘获膜的表面上设置的第一沟道膜；和在沟道孔穴的底部露出的公共源极线路；接收沟道孔穴的孔径的分布信息的工序，及以基于分布信息而对孔径的分布进行修正的方式，向衬底的中心侧和外周侧分别供给第一处理气体和第二处理气体，从而在所述第一沟道膜表面上形成第二沟道膜的工序。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，包括下述工序：将衬底搬入的工序，所述衬底具有：层叠膜，所述层叠膜具有绝缘膜和牺牲膜；在所述层叠膜中形成的沟道孔穴；在所述沟道孔穴内的表面上设置的电荷俘获膜；在所述电荷俘获膜的表面上设置的第一沟道膜；和在所述沟道孔穴的底部露出的公共源极线路，接收所述沟道孔穴的孔径的分布信息的工序，和以基于所述分布信息而对所述孔径的分布进行修正的方式，向所述衬底的中心侧和外周侧分别供给第一处理气体和第二处理气体，从而在所述第一沟道膜表面上形成第二沟道膜的工序。