[发明专利]一种硒化锑薄膜太阳能电池的背表面处理方法在审
| 申请号： | 201710169743.5 | 申请日： | 2017-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN106920863A | 公开（公告）日： | 2017-07-04 |
| 发明（设计）人： | 唐江;赵洋;牛广达;王亮;李登兵;陈超;李康华 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/032 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 许恒恒;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于薄膜太阳能电池制备领域，具体公开了一种硒化锑薄膜太阳能电池的背表面处理方法，该方法是使用含有二硫化碳的液体接触处理硒化锑薄膜太阳能电池中硒化锑薄膜层的表面，并以经处理后的硒化锑薄膜层的表面作为硒化锑薄膜太阳能电池的背表面。本发明通过对硒化锑薄膜太阳能电池中硒化锑薄膜层的背表面进行处理改进，有效降低了硒化锑薄膜太阳能电池的背接触势垒，达到了提高器件的填充因子的效果，进而提高了硒化锑薄膜太阳能电池的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硒化锑 薄膜 太阳能电池 表面 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硒化锑薄膜太阳能电池的背表面处理方法，其特征在于，该方法使用含有二硫化碳的液体接触处理硒化锑薄膜太阳能电池中硒化锑薄膜层的表面，并以经处理后的硒化锑薄膜层的表面作为硒化锑薄膜太阳能电池的背表面。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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