[发明专利]一种具备LiI修饰层的钙钛矿太阳能电池及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201710161393.8 申请日: 2017-03-17
公开(公告)号: CN107170886B 公开(公告)日: 2019-06-28
发明(设计)人: 郑晓颖;张京;张韩兵;陈冬;王琰琰;俞陆婷;夏文娟;诸跃进 申请(专利权)人: 宁波大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/48
代理公司: 杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙) 33260 代理人: 丁少华
地址: 315211 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及一种具备LiI修饰层的钙钛矿太阳能电池,从下到上依次包括导电玻璃层、致密二氧化钛膜、PC61BM修饰层、LiI修饰层、CH3NH3PbI3多晶膜、空穴传输材料层及蒸镀银电极层,其特征在于:PC61BM修饰层和CH3NH3PbI3多晶膜之间设置有LiI修饰层,其中PC61BM修饰层与LiI修饰层的厚度之和为10‑100纳米。本发明还涉及该具备LiI修饰层的钙钛矿太阳能电池的制造方法。
搜索关键词: 一种 具备 lii 修饰 钙钛矿 太阳能电池 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种具备LiI修饰层的钙钛矿太阳能电池的制造方法,依次包括如下步骤:①使用溶胶凝胶法在导电玻璃层上涂上一层致密二氧化钛膜,涂抹完成后的致密二氧化钛膜在300℃‑500℃条件下进行退火处理,对退火完成后的致密二氧化钛膜上使用四氯化钛进行处理,对四氯化钛处理完成后的致密二氧化钛膜进行烧结备用,至此致密二氧化钛膜制备完成;其特征在于:步骤①完成后依次包括如下步骤:②将PC61BM溶解于氯苯中搅拌均匀,形成PC61BM溶液;③使用匀胶机将步骤②中制备的PC61BM溶液沉积在制备完成后的致密二氧化钛膜上,然后对沉积在致密二氧化钛膜上的PC61BM溶液进行加热,使溶剂挥发,加热温度控制在50℃‑150℃,溶剂完全挥发后致密二氧化钛膜上形成PC61BM修饰层;④将LiI溶解于二甲基亚砜中,形成LiI的二甲基亚砜溶液,再将溶解好的LiI的二甲基亚砜溶液加入至乙腈中,形成LiI修饰层溶液;⑤将步骤④中形成的LiI修饰层溶液滴涂在PC61BM修饰层上,对滴涂在PC61BM修饰层上的LiI修饰层溶液进行烘干,烘干温度为50℃‑ 100℃下,烘干时间为5 ‑ 20 分钟,烘干完成后PC61BM修饰层上形成LiI修饰层;⑥将碘甲胺和氯化铅以摩尔比3:1‑1:1溶解于N,N‑二甲基甲酰胺中,搅拌均匀,形成钙钛矿溶液;⑦使用匀胶机将步骤⑥中制备的钙钛矿溶液沉积在LiI修饰层上方,控制温度在60℃‑150℃,使沉积在LiI修饰层上方的钙钛矿溶液沉积结晶成为CH3NH3PbI3多晶膜;⑧将空穴传输材料的有机溶液均匀的旋涂在CH3NH3PbI3多晶膜上,形成空穴传输材料层;⑨使用蒸镀方法,在空穴传输材料层上蒸镀蒸镀银电极层;PC61BM溶液中,PC61BM质量浓度为10mg/ml, LiI修饰层溶液中,LiI的物质的量浓度为0.0083M;制造得到的具备LiI修饰层的钙钛矿太阳能电池从下到上依次包括导电玻璃层、致密二氧化钛膜、PC61BM修饰层、LiI修饰层、CH3NH3PbI3多晶膜、空穴传输材料层及蒸镀银电极层,其中PC61BM修饰层与LiI修饰层的厚度之和为10‑100纳米,致密二氧化钛膜厚度为20‑200纳米,甲胺铅碘多晶膜厚度为200纳米‑1.5微米,空穴传输材料层厚度为50‑500纳米,蒸镀银电极层厚度为50‑200纳米,所述空穴传输材料层材质为spiro‑MeOTAD或3‑己基取代聚噻吩。
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