[发明专利]中波红外成像光谱仪的辐射和光谱一体化定标方法在审
申请号: | 201710160968.4 | 申请日: | 2017-03-17 |
公开(公告)号: | CN107063455A | 公开(公告)日: | 2017-08-18 |
发明(设计)人: | 陈艳;王广平;徐文斌;王淑华;陈伟力;雷浩 | 申请(专利权)人: | 北京环境特性研究所 |
主分类号: | G01J3/28 | 分类号: | G01J3/28;G01J5/52 |
代理公司: | 北京君恒知识产权代理事务所(普通合伙)11466 | 代理人: | 黄启行,张璐 |
地址: | 100854*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 公开了中波红外成像光谱仪的辐射和光谱一体化定标方法,涉及地面定标技术领域。本发明在采用黑体对中波红外成像光谱仪进行辐射定标的同时,将聚乙烯薄膜覆盖在黑体上,利用聚乙烯材料在光谱位置2920cm‑1和2850cm‑1处具有稳定吸收峰、并且不易受高温、强光等恶劣条件影响的特点,实现对中波红外成像光谱仪的光谱定标,定标精度高、稳定性好,并且定标设备简单易实现,为中波红外成像光谱仪的定量化应用奠定基础。 | ||
搜索关键词: | 中波 红外 成像 光谱仪 辐射 光谱 一体化 定标 方法 | ||
【主权项】:
中波红外成像光谱仪的辐射和光谱一体化定标方法,其特征在于包括:S1、分别在第一定标温度和第二定标温度下采集黑体的干涉数据,基于该干涉数据确定光谱仪在第一定标温度下的第一响应值和在第二定标温度下的第二响应值;S2、在黑体表面覆盖聚乙烯薄膜,采集第二定标温度下的干涉数据,基于该干涉数据与第二响应值确定聚乙烯薄膜两个特征吸收峰的位置坐标;S3、基于第一响应值、第二响应值以及黑体在第一定标温度和第二定标温度下的理论辐射亮度值,拟合成像光谱仪的辐射增益和辐射偏置,得到成像光谱仪的响应函数;S4、基于聚乙烯薄膜两个特征吸收峰的位置坐标和其中一个特征吸收峰的理论光谱位置,确定聚乙烯薄膜另一个特征吸收峰的光谱位置,根据确定出的光谱位置以及所述另一个特征吸收峰的理论光谱位置确定光谱仪的光谱定标精度;其中,第一定标温度与第二定标温度不相等。
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