[发明专利]一种基于对称三波导定向耦合器结构的TE模检偏器有效
| 申请号： | 201710159573.2 | 申请日： | 2017-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN106959163B | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 肖金标;倪斌 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G01J4/00 | 分类号： | G01J4/00 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210096 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于对称三波导定向耦合器结构的TE模检偏器，该检偏器由下至上依次为硅基衬底(9)、掩埋氧化层(10)、检偏部件(15)和上包层(11)，其中掩埋氧化层(10)生长于硅基衬底(9)的上表面，上包层(11)覆盖掩埋氧化层(10)的上表面，检偏部件(15)水平生长于掩埋氧化层(10)的上表面，并被上包层(11)覆盖；所述检偏部件(15)包括输入通道(1)、中路直通通道(2)、左路直通通道(4)、左路C型弯曲通道(5)、右路直通通道(6)、右路C型弯曲通道(7)、输出通道(3)；该TE模检偏器具有低插入损耗、高消光比、大工作带宽且结构紧凑的优点。 1 | ||
| 搜索关键词： | 掩埋氧化层 检偏器 直通通道 上包层 上表面 检偏 波导定向耦合器 硅基衬 对称 插入损耗 工作带宽 输出通道 输入通道 水平生长 消光比 覆盖 生长 | ||
【主权项】：
1.一种基于对称三波导定向耦合器结构的TE模检偏器，其特征在于：该检偏器由下至上依次为硅基衬底(9)、掩埋氧化层(10)、检偏部件(15)和上包层(11)，其中掩埋氧化层(10)生长于硅基衬底(9)的上表面，上包层(11)覆盖掩埋氧化层(10)的上表面，检偏部件(15)水平生长于掩埋氧化层(10)的上表面，并被上包层(11)覆盖；所述检偏部件(15)包括输入通道(1)、中路直通通道(2)、左路直通通道(4)、左路C型弯曲通道(5)、右路直通通道(6)、右路C型弯曲通道(7)、输出通道(3)；中路直通通道(2)的一端和输入通道(1)相连、另一端和输出通道(3)相连接，构成中路通道；左路直通通道(4)和左路C型弯曲通道(5)连接，右路直通通道(6)和右路C型弯曲通道(7)连接；其中，输出通道(3)、左路C型弯曲通道(5)、右路C型弯曲通道(7)位于同一端；左路直通通道(4)和右路直通通道(6)对称分列于中路直通通道(2)的左右两侧，且与中路直通通道(2)对齐摆放，相邻通道之间的距离为0.05～0.25μm，构成对称三波导定向耦合器结构(8)；输入通道(1)、中路直通通道(2)和输出通道(3)均为硅基带状波导，左路直通通道(4)、左路C型弯曲通道(5)、右路直通通道(6)和右路C型弯曲通道(7)均为混合等离子波导；其中：所述的硅基带状波导与混合等离子波导两者的尺寸满足以下条件：1)硅基带状波导与混合等离子波导的TE模有效折射率实部相差大于0.2，相位失配；2)硅基带状波导与混合等离子波导的TM模有效折射率实部相等，相位匹配。
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